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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2003005430 - PROCEDE ET APPAREIL DE CONTROLE D'UN PROCESSUS DE PLACAGE

Numéro de publication WO/2003/005430
Date de publication 16.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/018857
Date du dépôt international 12.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 20.01.2003
CIB
H01L 21/288 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
288à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique
H01L 21/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
CPC
H01L 21/2885
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
288from a liquid, e.g. electrolytic deposition
2885using an external electrical current, i.e. electro-deposition
H01L 21/76877
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
76877Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
H01L 22/26
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
26Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
  • ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place Mail Stop 68 P.O. Box 3453 Sunnyvale, CA 94088-3453, US (AllExceptUS)
  • PASADYN, Alexander, J. [US/US]; US (UsOnly)
  • SONDERMAN, Thomas, J. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • PASADYN, Alexander, J.; US
  • SONDERMAN, Thomas, J.; US
Mandataires
  • DRAKE, Paul, S.; Advanced Micro Devices, Inc. 5204 East Ben While Boulevard Mail Stop 562 Austin, TX 78741, US
Données relatives à la priorité
09/897,62602.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING A PLATING PROCESS
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE CONTROLE D'UN PROCESSUS DE PLACAGE
Abrégé
(EN)
A method for a controlling a plating process layer (160) on a wafer in accordance with a recipe; measuring a thickness of the process layer (160); and determining at least one plating parameter of the recipe for subsequently formed process layers (160) based on the measured thickness. A processing line (200) includes a plating tool (220), a metrology tool (240), and a process controller (230). The plating tool (220) is adapted to form a process layer (160) on a wafer in accordance with a repice. The metrology tool (240) is adapted to measure a thickness of the process layer (160). The process controller (230) is adapted to determine at least one plating parameter of the recipe for subsequently formed process layers (160) based on the measured thickness.
(FR)
L'invention porte sur un procédé de contrôle de placage (160) consistant: à déposer par électrodéposition une couche de placage sur une tranche de silicium selon un mode opératoire donné; à mesurer l'épaisseur de la couche (160) déposée; et à déterminer au moins un paramètre de placage du mode opératoire pour former de nouvelles couches en fonction de l'épaisseur mesurée. L'invention porte également sur une chaîne de production (200) comprenant un outil de placage (220), un outil de mesure (240) et un contrôleur (230) de processus. L'outil de placage (220) forme la couche (160) sur la tranche selon le mode opératoire, l'outil de mesure (240) mesure l'épaisseur de la couche (160), et le contrôleur (230) de processus détermine l'un au moins des paramètres du mode opératoire pour former ensuite des couches (160) subséquentes en fonction des épaisseurs mesurées.
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