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Paramétrages

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1. WO2003005417 - PROCEDE ET APPAREIL SERVANT A LA CROISSANCE DE CRISTAUX SEMI-CONDUCTEURS AU MOYEN D'UN SUPPORT RIGIDE, DOPAGE AU CARBONE, D'UNE REGULATION DE LA RESISTIVITE ET DU GRADIENT DE TEMPERATURE

Numéro de publication WO/2003/005417
Date de publication 16.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/021195
Date du dépôt international 03.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 05.02.2003
CIB
C30B 11/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger
C30B 11/04 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger
04en introduisant dans le bain fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
C30B 27/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
27Croissance de monocristaux sous un fluide protecteur
CPC
C30B 11/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
C30B 11/002
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
002Crucibles or containers for supporting the melt
C30B 11/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
04adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
C30B 11/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
04adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
08every component of the crystal composition being added during the crystallisation
12Vaporous components, e.g. vapour-liquid-solid-growth
C30B 27/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
27Single-crystal growth under a protective fluid
C30B 29/42
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
42Gallium arsenide
Déposants
  • AXT, INC. [US/US]; 4281 Technology Drive Fremont, CA 94538, US
Inventeurs
  • LIU, Xiao, Gordon; US
  • LIU, Wei, Guo; US
Mandataires
  • EDWARDS, Jean, C.; Sonnenschein Nath & Rosenthal P.O. Box 061080 Wacker Drive Station Sears Tower Chicago, IL 60606-1080, US
Données relatives à la priorité
60/303,18905.07.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD AND APPARATUS FOR GROWING SEMICONDUCTOR CRYSTALS WITH A RIGID SUPPORT
(FR) PROCEDE ET APPAREIL SERVANT A LA CROISSANCE DE CRISTAUX SEMI-CONDUCTEURS AU MOYEN D'UN SUPPORT RIGIDE, DOPAGE AU CARBONE, D'UNE REGULATION DE LA RESISTIVITE ET DU GRADIENT DE TEMPERATURE
Abrégé
(EN)
Group III-VI, II-VI and related monocrystalline compounds are grown with a rigid support of a sealed ampoule (4000), carbon doping and resistivity control, and thermal gradient control in a crystal growth furnace (1000). A support cylinder provides structural support for the combined sealed ampoule (4000) crucible (3000) assembly, while low-density insulating material inside the support cylinder deters convection and conduction heating. Radiation channels penetrating the low-density material provide pathways for radiation heating into out of the seed well and transition regions of the crystal growth crucible. A hollow core (2030) in the insulation material (2060) directly beneath the seed well (4030) provides cooling in the center of the growing crystal, which enables uniform, level growth of the crystal ingot and a flat crystal-melt interface which results in crystal wafers with uniform electrical properties.
(FR)
Selon l'invention, on fait croître des composés des groupes III-V, II-VI et des composés monocristallins associés au moyen d'un support rigide pour une ampoule hermétique, au moyen d'un dopage au carbone, d'une régulation de la résistivité, et du gradient de température dans un four à cristallogenèse. Un cylindre de support fournit un support structural pour l'ensemble combinant un creuset et l'ampoule hermétique, alors que les matériaux isolants à faible densité situés à l'intérieur du cylindre de support empêchent la chauffage par convection et par conduction. Des canaux de rayonnement pénétrant dans les matériaux à faible densité créent des passages pour la chaleur de rayonnement à l'intérieur et à l'extérieur des régions de puits de germes cristallins et des régions de transition du creuset à cristallogenèse. Un noyau creux ménagé dans le matériau d'isolation situé directement sous le puits de germes cristallins provoque un refroidissement au centre du cristal en cours de croissance, ce qui permet d'obtenir une croissance homogène, régulière du lingot et une interface plate matière fondue-cristal permettant de produire une tranche de cristal présentant des propriétés électriques homogènes.
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