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Paramétrages

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1. WO2003005115 - AGENT D'ATTAQUE CHIMIQUE DESTINE A UN FIL, PROCEDE DE FABRICATION DU FIL ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN ENSEMBLE DE RESEAUX DE TRANSISTOR A FILM MINCE COMPRENANT CE PROCEDE

Numéro de publication WO/2003/005115
Date de publication 16.01.2003
N° de la demande internationale PCT/KR2002/001260
Date du dépôt international 03.07.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 04.02.2003
CIB
G02F 1/1362 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
FDISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362Cellules à adressage par une matrice active
H01L 21/84 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
84le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant
CPC
G02F 1/136286
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
1362Active matrix addressed cells
136286Wiring, e.g. gate line, drain line
H01L 27/124
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
124with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
Déposants
  • SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 416, Maetan-dong, Paldal-ku 442-370 Suwon-city, Kyungki-do, KR (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NE, NL, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW)
  • PARK, Hong-Sick [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • KANG, Sung-Chul [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs
  • PARK, Hong-Sick; KR
  • KANG, Sung-Chul; KR
Mandataires
  • YOU ME PATENT & LAW FIRM; Teheran Bldg., 825-33 Yoksam-dong, Kangnam-ku 135-080 Seoul, KR
Données relatives à la priorité
2001/4031006.07.2001KR
2001/6532723.10.2001KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) AN ETCHANT FOR A WIRE, A METHOD FOR MANUFACTURING THE WIRE AND A METHOD FOR MANUFACTURING A THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL INCLUDING THE METHOD
(FR) AGENT D'ATTAQUE CHIMIQUE DESTINE A UN FIL, PROCEDE DE FABRICATION DU FIL ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN ENSEMBLE DE RESEAUX DE TRANSISTOR A FILM MINCE COMPRENANT CE PROCEDE
Abrégé
(EN)
In a method of fabricating a TFT array substrate, a gate wire is formed on an insulating substrate. The gate wire has gate lines, gate electrodes, and gate pads connected to the gate lines. A gate insulating layer and a semiconductor layer are formed in sequence. A data wire is formed, which includes data lines intersecting the gate lines, source electrodes connected to the data lines and placed close to the gate electrodes, drain electrodes opposite the source electrodes with respect to the gata electrodes, and data pads connected to tha data lines. A protective layer is deposited, and is patterned to form contact holes exposing at least the drain electrodes. A silver or silver alloy conductive layer is deposited on the protective layer. The conductive layer is patterned using an etching solution with phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, potassium peroxymonosulphate and ultra-pure water or an etching solution with nitric acid, acetic acid, ethylene glycol and ultra-pure water to thereby form a reflecting layer. The reflecting layer is connected to the drain electrodes through the contact holes.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de réseau de transistor en couches minces (TFT), un fil de grille formé sur un substrat isolant. Le fil de grille comprend des lignes de grille, des électrodes de grille, et des coussins de grille reliés aux lignes de grille. Une couche isolante de grille et une couche à semi-conducteur sont formées de façon séquentielle. Un fil de données est formé, lequel comprend des lignes de données croisant les lignes de grille, les électrodes sources connectées aux lignes de données et placées à proximité des électrodes de grille, des électrodes de drain opposées aux électrodes sources par rapport aux électrodes de grille, et des coussins de données connectés aux lignes de données. Une couche de protection est déposée, et modelée de manière à former des trous de contact exposant au moins les électrodes de drain. Une couche conductrice en argent ou en alliage d'argent est déposée sur la couche de protection. Cette couche de protection est modelée au moyen d'une solution d'attaque contenant de l'acide phosphorique, de l'acide nitrique, de l'acide acétique, du péroxymonosulfate de potassium et de l'eau très pure ou une solution d'attaque contenant de l'acide nitrique, de l'acide acétique, de l'acide phosphorique de l'éthylènglycol et de l'eau très pure en vue de former une couche réfléchissante. Cette couche réfléchissante est connectée aux électrodes de drain par le biais des trous de contact.
Également publié en tant que
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