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1. WO2003004987 - ELEMENT OPTIQUE POUR LITHOGRAPHIE OPTIQUE, ET PROCEDE D'EVALUATION Y RELATIF

Numéro de publication WO/2003/004987
Date de publication 16.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006863
Date du dépôt international 05.07.2002
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
CPC
G03F 7/705
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70491Information management and control, including software
705Modelling and simulation from physical phenomena up to complete wafer process or whole workflow in wafer fabrication
G03F 7/706
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70591Testing optical components
706Aberration measurement
Déposants
  • NIKON CORPORATION [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-8331, JP (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NE, NL, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW)
  • ENDO, Kazumasa [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • HIRAIWA, Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • NAKAGAWA, Kazuhiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • MOCHIDA, Masaaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • ENDO, Kazumasa; JP
  • HIRAIWA, Hiroyuki; JP
  • NAKAGAWA, Kazuhiro; JP
  • MOCHIDA, Masaaki; JP
Mandataires
  • HASEGAWA, Yoshiki ; Soei Patent and Law Firm Okura-honkan 6-12, Ginza 2-chome Chuo-ku Tokyo 104-0061, JP
Données relatives à la priorité
2001-20422105.07.2001JP
2002-104508.01.2002JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) OPTICAL MEMBER FOR OPTICAL LITHOGRAPHY AND EVALUATION METHOD THEREFOR
(FR) ELEMENT OPTIQUE POUR LITHOGRAPHIE OPTIQUE, ET PROCEDE D'EVALUATION Y RELATIF
Abrégé
(EN)
A method of evaluating homogeity in the refractive index of an optical lithography−use optical member, comprising the step of measuring wave front aberration by allowing light with a specified wavelength &lgr; to pass through the optical member, the Zernike fitting step of developing the above measured wave front aberration into a polynomial of a Zernike cylindrical function system, the first separation step of separating respective components of the polynomial into rotary symmetrical components, odd−number symmetrical components and even−number symmetrical components, and the second separation step of separating the respective components of the polynomial into a plurality of parts according to degrees thereof.
(FR)
L'invention concerne un procédé d'évaluation de l'homogénéité de l'indice de réfraction d'un élément optique utilisé en lithographie optique, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : mesure de l'aberration du front d'onde en faisant passer une lumière d'une longueur d'onde spécifiée $g(l) à travers l'élément optique, lissage de Zernike du développement de l'aberration de front d'onde mesurée précédemment en un polynôme d'un système à fonction cylindrique de Zernike, une première étape de séparation des composantes respectives du polynôme en composantes symétriques de rotation, composantes symétriques de nombre impair et composantes symétriques de nombre pair, et une seconde étape de séparation des composantes respectives du polynôme en une pluralité de parties, suivant les degrés de celui-ci
Également publié en tant que
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