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Paramétrages

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1. WO2003004965 - PHOTODETECTEUR UTILISE DANS UN PROCEDE FAISANT APPEL A LA TRANSMISSION DE LUMIERE POUR LA DETECTION DU SENS DE DEPLACEMENT DE MAXIMA D'INTENSITE ET DE MINIMA D'INTENSITE D'UNE ONDE OPTIQUE STATIONNAIRE

Numéro de publication WO/2003/004965
Date de publication 16.01.2003
N° de la demande internationale PCT/DE2002/002135
Date du dépôt international 12.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 24.01.2003
CIB
G01B 9/02 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
BMESURE DE LA LONGUEUR, DE L'ÉPAISSEUR OU DE DIMENSIONS LINÉAIRES ANALOGUES; MESURE DES ANGLES; MESURE DES SUPERFICIES; MESURE DES IRRÉGULARITÉS DES SURFACES OU CONTOURS
9Instruments tels que spécifiés dans les sous-groupes et caractérisés par l'utilisation de moyens de mesure optiques
02Interféromètres
G01D 5/26 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
DMESURE NON SPÉCIALEMENT ADAPTÉE À UNE VARIABLE PARTICULIÈRE; DISPOSITIONS NON COUVERTES PAR UNE SEULE DES AUTRES SOUS-CLASSES POUR MESURER PLUSIEURS VARIABLES; APPAREILS COMPTEURS À TARIFS; DISPOSITIONS POUR LE TRANSFERT OU LA TRANSDUCTION DE MESURE NON SPÉCIALEMENT ADAPTÉES À UNE VARIABLE PARTICULIÈRE; MESURES OU TESTS NON PRÉVUS AILLEURS
5Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensible; Moyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminé; Transducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière
26utilisant des moyens optiques, c. à d. utilisant de la lumière infrarouge, visible ou ultraviolette
H01L 31/109 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
102caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
109la barrière de potentiel étant du type PN à hétérojonction
CPC
G01D 5/266
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
DMEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
5Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
26characterised by optical transfer means, i.e. using infra-red, visible, or ultra-violet light
266by interferometric means
H01L 31/109
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
102characterised by only one potential barrier or surface barrier
109the potential barrier being of the PN heterojunction type
Déposants
  • FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; Wilhelm-Johnen-Strasse 52425 Jülich, DE (AllExceptUS)
  • KNIPP, Dietmar [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • STIEBIG, Helmut [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • BÜCHNER Hans-Joachim [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • JÄGER, Gerd [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • KNIPP, Dietmar; DE
  • STIEBIG, Helmut; DE
  • BÜCHNER Hans-Joachim; DE
  • JÄGER, Gerd; DE
Mandataires
  • KAYSER & MÖBUS; Hesslerstrasse 40 59065 Hamm, DE
Données relatives à la priorité
101 31 608.929.06.2001DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) PHOTOSENSOR FÜR EIN DURCHLICHTVERFAHREN ZUR DETEKTION DER BEWEGUNGSRICHTUNG VON INTENSITÄTSMAXIMA UND INTENTSITÄTSMINIMA EINER OPTISCHEN STEHENDEN WELLE
(EN) PHOTOSENSOR FOR A TRANSMITTED LIGHT METHOD USED FOR DETECTING THE DIRECTION OF MOVEMENT OF INTENSITY MAXIMA AND INTENSITY MINIMA OF AN OPTICAL STANDING WAVE
(FR) PHOTODETECTEUR UTILISE DANS UN PROCEDE FAISANT APPEL A LA TRANSMISSION DE LUMIERE POUR LA DETECTION DU SENS DE DEPLACEMENT DE MAXIMA D'INTENSITE ET DE MINIMA D'INTENSITE D'UNE ONDE OPTIQUE STATIONNAIRE
Abrégé
(DE)
Ein Photosensor für ein Durchlichtverfahren zur Detektion des Intensitätsprofils einer optischen stehenden Welle, mit einem transparenten Träger, mit einem dem Träger zugeordneten Halbleiterelement und wenigstens drei Kontakten ist dadurch gekennzeichnet, dass zwei Halbleiterelemente miteinander verbunden sind, wobei das erste Halbleiterelement und das zweite Halbleiterelement jeweils eine photoelektrisch aktive Halbleiterschicht besitzen, wobei die beiden photoelektrisch aktiven Halbleiterschichten in einer festen Phasenbeziehung zueinander stehen, welche mittels wenigstens einer photoelektrisch inaktiven Schicht eingestellt wird.
(EN)
The invention relates to a photosensor for a transmitted light method used for detecting the intensity profile of an optical standing wave. Said photosensor comprises a transparent support, a semiconductor element that is assigned to the support, and at least three contacts. The photosensor is characterized in that two semiconductor elements are connected to one another, whereby the first semiconductor element and the second semiconductor element each have a photoelectrically active semiconductor layer. Both photoelectrically active semiconductor layers are in a fixed phase relation with regard to one another, which is set by means of at least one photoelectrically inactive layer.
(FR)
L'invention concerne un photodétecteur utilisé dans un procédé faisant appel à la transmission de lumière pour la détection du profil d'intensité d'une onde optique stationnaire, lequel comprend un support transparent, un élément semi-conducteur associé audit support et au moins trois contacts. Ce photodétecteur se caractérise en ce que deux éléments semi-conducteurs sont mutuellement reliés, le premier élément semi-conducteur et le second élément semi-conducteur présentant respectivement une couche de semi-conducteur photoélectriquement active, les deux couches de semi-conducteur photoélectriquement actives étant mutuellement en relation de phases fixes qui est réglée au moyen d'au moins une couche photoélectriquement inactive.
Également publié en tant que
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