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Paramétrages

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1. WO2003003582 - MECANISME DE FONCTIONNEMENT A BASSE PUISSANCE, ET PROCEDE

Numéro de publication WO/2003/003582
Date de publication 09.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/008088
Date du dépôt international 14.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 14.01.2003
CIB
H01L 29/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
10avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/78 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H03K 19/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
19Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
CPC
H01L 29/1087
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
10with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
107Substrate region of field-effect devices
1075of field-effect transistors
1079with insulated gate
1087characterised by the contact structure of the substrate region, e.g. for controlling or preventing bipolar effect
H01L 29/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
H03K 19/0016
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
19Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output
0008Arrangements for reducing power consumption
0016by using a control or a clock signal, e.g. in order to apply power supply
Déposants
  • INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052, US
Inventeurs
  • RAVICHANDRAN, Krishnan; US
  • BARANY, Micah; US
  • JACKSON, Robert; US
  • ZHANG, Kevin; US
Mandataires
  • BLAKELY, SOKOLOFF, TAYLOR & ZAFMAN LLP; c/o Grace Abercrombie 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, CA 94086, US
Données relatives à la priorité
09/892,63228.06.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) LOW POWER OPERATION MECHANISM AND METHOD
(FR) MECANISME DE FONCTIONNEMENT A BASSE PUISSANCE, ET PROCEDE
Abrégé
(EN)
An apparatus and method are provided for powering a chip having at least one transistor. A voltage regulating device (110) may apply a first voltage and a second voltage to the transistor. The voltage regulating device may include a mechanism (120) to apply a third voltage to a body contact of the transistor while applying the first voltage to the transistor. This places the transistor in a reverse body bias mode which conserves energy by reducing leakage current.
(FR)
L'invention concerne un dispositif et un procédé permettant d'alimenter une puce qui comprend au moins un transistor. Il est possible d'appliquer des première et seconde tensions au transistor, par le biais d'un régulateur de tension. Le régulateur peut comprendre un mécanisme qui permet d'appliquer une troisième tension à un contact du substrat du transistor, tout en appliquant la première tension au transistor, lequel est alors en mode de polarisation inverse du substrat, c'est-à-dire en mode de conservation d'énergie grâce à la réduction des courants de fuite.
Également publié en tant que
RU2004115746
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