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Paramétrages

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1. WO2003003473 - CELLULE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS NON VOLATILE, MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE POUR PRODUIRE UNE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS NON VOLATILE

Numéro de publication WO/2003/003473
Date de publication 09.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2001/005544
Date du dépôt international 28.06.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 28.06.2001
CIB
H01L 29/792 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
792à isolant de grille à emmagasinage de charges, p.ex. transistor de mémoire MNOS
CPC
G11C 16/0433
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
04using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
0408comprising cells containing floating gate transistors
0433comprising cells containing a single floating gate transistor and one or more separate select transistors
H01L 27/105
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
H01L 27/115
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
H01L 27/11568
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11563with charge-trapping gate insulators, e.g. MNOS or NROM
11568characterised by the memory core region
H01L 29/40117
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
401Multistep manufacturing processes
4011for data storage electrodes
40117the electrodes comprising a charge-trapping insulator
H01L 29/66833
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
66833with a charge trapping gate insulator, e.g. MNOS transistors
Déposants
  • HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome Chiyoda-ku Tokyo 101-8010, JP (AllExceptUS)
  • YAMADA, Renichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • SEKIGUCHI, Tomoko [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • MORI, Yuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • YAMADA, Renichi; JP
  • SEKIGUCHI, Tomoko; JP
  • MORI, Yuki; JP
Mandataires
  • OGAWA, Katsuo; Nitto International Patent Office Yusenkayabacho Building 9-8, Nihonbashi-kayabacho 2-chome Chuo-ku Tokyo 103-0025, JP
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL AND SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD FOR FABRICATING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY
(FR) CELLULE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS NON VOLATILE, MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS ET PROCEDE POUR PRODUIRE UNE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS NON VOLATILE
Abrégé
(EN)
A nonvolatile semiconductor memory cell comprising a substrate, a source region and a drain region formed in the surface of the substrate, a channel region formed in the surface of the substrate between the source region and the drain region, an insulating film so formed as to cover the channel region, and a gate electrode formed above the insulating film, wherein the insulating film constitutes a charge storage section and the trap level thereof is set up using a trap level set−up means in addition to an insulating film forming means. Furthermore, variation in the memory characteristics of a nonvolatile memory which retains memory by trapping charge in a gate insulation insulator can be suppressed using an enhancement transistor. A nonvolatile memory can thereby be produced inexpensively with high yield.
(FR)
La présente invention concerne une cellule mémoire à semi-conducteurs non volatile comprenant un substrat, une région de source, une région de drain, pourvue à la surface du substrat, une région de canal, pourvue à la surface du substrat, entre la région de source et la région de drain, un film isolant, conçu pour recouvrir la région de canal, ainsi qu'une électrode de grille, pourvue au-dessus du film isolant. Ce film isolant constitue une section de stockage de charge dont le niveau de piégeage est réglé par utilisation d'un système de réglage de niveau de piégeage et d'un système de formation de film isolant. De plus, on peut supprimer la variation des caractéristiques d'une mémoire non volatile qui retient la mémoire par piégeage d'une charge dans un isolateur de grille en utilisant un transistor à enrichissement. Cette invention permet de produire une mémoire non volatile à faible coût et avec un haut rendement.
Également publié en tant que
RU2004115389
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