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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2003003466 - SUPERCONDENSATEUR QUANTIQUE

Numéro de publication WO/2003/003466
Date de publication 09.01.2003
N° de la demande internationale PCT/EA2002/000006
Date du dépôt international 01.07.2002
CIB
H01L 29/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
H01G 4/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
4Fixed capacitors; Processes of their manufacture
002Details
018Dielectrics
06Solid dielectrics
H01G 4/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
4Fixed capacitors; Processes of their manufacture
002Details
018Dielectrics
06Solid dielectrics
08Inorganic dielectrics
H01L 29/127
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
122Single quantum well structures
127Quantum box structures
Y10S 977/773
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
977Nanotechnology
70Nanostructure
773Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
Déposants
  • ILYANOK, Alexander Mikhailovich [BY/BY]; BY
Inventeurs
  • ILYANOK, Alexander Mikhailovich; BY
Mandataires
  • VINOGRADOV, Sergey Gennadievich; a/ya 114 220029 MINSK, BY
Données relatives à la priorité
20010084629.06.2001EA
Langue de publication russe (RU)
Langue de dépôt russe (RU)
États désignés
Titre
(EN) QUANTUM SUPERCAPACITOR
(FR) SUPERCONDENSATEUR QUANTIQUE
Abrégé
(EN)
The inventive supercapacitor comprises electrodes with a nanostructured material arranged therebetween, said material being consisted of clusters provided with tunnel-transparent shells. The cluster is dimensioned in such a way it enables an electron to exhibit the resonance properties within the range of 7.2517 nm $m(F) r $m(F) 29.0068 nm. Said dimensions are defined by the annular radius of the electron wave according to the formula Ro=$m(j)(me$g(a)2c)=7.2517 nm, where $m(j) is the Planck constant, me is the electron mass, $g(a)=1/137.036 is a fine structure constant, c is the light speed. The cluster dimension is pre-determined in the range from ro=7.2517 nm. Energy storage in the quantum supercapacitor is carried out by means of a controlled breakdown of the nanostructured dielectric material followed by the recovery thereof. Said energy is stored regularly through out the total volume of the nanostructured material as a result of a resonance pairing of electrons on the cluster. Specific energy stored in the capacitor is equal to 1.66 MJ/kg.
(FR)
Dans le supercondensateur quantique de l'invention, on a disposé entre les électrodes un matériau nanostructuré constitué de plusieurs grappes munies d'enveloppes transparentes à effet tunnel. Les dimensions des grappes sont choisies de manière à ce que les propriétés de résonance de l'électron puissent se manifester; elles sont de 7,2517 nm $m(F) r $m(F) 29,0068 nm. Ces dimensions sont déterminées par le rayon annulaire de l'onde d'électron selon la formule ro=$m(j)/(me$g(a)2c)=7,2517 nm, dans laquelle $m(j) est la constante de Planck, me est la masse de l'électron, $g(a)=1/137,036 est la constante de la structure fine et c la vitesse de la lumière. Les dimensions de la grappe sont comprises entre ro et 4 ro, l'épaisseur de l'intervalle transparente à effet tunnel étant inférieure ou égale à ro=7,2517 nm. L'accumulation de l'énergie dans le supercondensateur quantique se fait grâce au claquage contrôlé du matériau nanostructuré diélectrique suivi d'un rétablissement dudit matériau. L'énergie conservée est répartie régulièrement dans tout le volume du matériau nanostructuré grâce à l'accouplement par résonance des électrons sur la grappe. L'énergie spécifique limite accumulée dans le condensateur s'élève à 1,66 MJoules / kg.
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