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Paramétrages

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1. WO2003003447 - SYSTEME ET PROCEDE DE COMMANDE ACTIVE D'ESPACEURS

Numéro de publication WO/2003/003447
Date de publication 09.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/003026
Date du dépôt international 31.01.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 17.01.2003
CIB
H01L 21/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
CPC
H01L 22/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
10Measuring as part of the manufacturing process
12for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
H01L 22/26
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
26Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
Déposants
  • ADVANCE MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place Mail Stop 68, P.O. Box 3453 Sunnyvale, CA 94088-3453, US
Inventeurs
  • RANGARAJAN, Bharath; US
  • TEMPLETON, Michael, K.; US
  • SINGH, Bhanwar; US
Mandataires
  • RODDY, Richard, J.; Advanced Micro Devices, Inc. One AMD Place Mail Stop 68 Sunnyvale, CA 94088-3453, US
  • WRIGHT, Hugh, R.; Brookes Batchellor 102-108 Clerkenwell Road London EC1M 5SA, GB
Données relatives à la priorité
09/893,82428.06.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SYSTEM AND METHOD FOR ACTIVE CONTROL OF SPACER DEPOSITION
(FR) SYSTEME ET PROCEDE DE COMMANDE ACTIVE D'ESPACEURS
Abrégé
(EN)
A system for regulating spacer deposition is provided. At least one spacer deposition component deposits spacer (80) on a portion of a wafer (4, 22, 1104, 920). A spacer deposition controller regulates the at least one spacer deposition component. A system for directing light directs light (902, 912, 940) to the at least one spacer and collects light reflected (904, 914, 942) from the portion of the wafer (4, 22, 1104, 920). A measuring system (50) measures thickness parameters associated with the deposited spacer (80). A processor (14) is operatively coupled to the measuring system (50) and the spacer deposition controller, wherein the processor (14) receives the measured data from the measuring system (50), analyzes the measured data by comparing the measured data to stored acceptable spacer thickness values to determine necessary adjustments to the spacer deposition component $i(via) the spacer deposition controller to facilitate regulating spacer thickness on the portion of the wafer (4, 22, 1104, 920) and on subsequent portions of wafers (4, 22, 1104, 920).
(FR)
L'invention concerne un système permettant de réguler le dépôt d'espaceurs. Au moins un composant de dépôt d'espaceurs dépose un espaceur (80) sur une partie d'une plaquette (4, 22, 1104, 920). Une unité de commande de dépôt d'espaceurs règle au moins ledit composant de dépôt d'espaceurs. Un système de direction de lumière dirige la lumière (902, 912, 940) vers au moins un espaceur et recueille la lumière réfléchie (904, 914, 942) de cette partie de la plaquette (4, 22, 1104, 920). Un système de mesure (50) mesure l'épaisseur de paramètres associés à l'espaceur (80) déposé. Un processeur (14) est couplé en fonctionnement à ce système de mesure (50) et à l'unité de commande de dépôt d'espaceurs, ce processeur (14) recevant les données de mesure du système de mesure (50), analysant ces données de mesure par la comparaison desdites données avec des valeurs d'épaisseur d'espaceurs acceptables stockées pour déterminer les réglages nécessaires à effectuer sur le composant de dépôt d'espaceurs par l'intermédiaire de l'unité de commande de dépôt d'espaceurs, de sorte à faciliter le réglage de l'épaisseur des espaceurs sur la partie de la plaquette (4, 22, 1104, 920) et sur les parties suivantes de plaquettes (4, 22, 1104, 920).
Également publié en tant que
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