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Paramétrages

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1. WO2003003446 - CONTROLE DE CARACTERISTIQUES DIMENSIONNELLE A SEMICONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2003/003446
Date de publication 09.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/020734
Date du dépôt international 27.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 21.01.2003
CIB
H01L 21/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
CPC
G01N 33/48721
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
33Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
48Biological material, e.g. blood, urine
483Physical analysis of biological material
487of liquid biological material
48707by electrical means
48721Investigating individual macromolecules, e.g. by translocation through nanopores
H01L 22/26
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
26Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
  • PRESIDENT AND FELLOWS OF HARVARD COLLEGE [US/US]; Holyoke Center Suite 727 1350 Massachusetts Avenue Cambridge, MA 02138, US
Inventeurs
  • GOLOVCHENKO, Jene, A.; US
  • BRANTON, Daniel; US
  • AZIZ, Michael, J.; US
  • LI, Jiali; US
  • STEIN, Derek, M.; US
  • MCMULLAN, Ciaran, J.; GB
Mandataires
  • LOBER, Theresa, A.; T.A. Lober Patent Services 45 Walden Street Concord, MA 01742, US
Données relatives à la priorité
60/301,40027.06.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) CONTROL OF SOLID STATE DIMENSIONAL FEATURES
(FR) CONTROLE DE CARACTERISTIQUES DIMENSIONNELLE A SEMICONDUCTEURS
Abrégé
(EN)
A solid state structure having a surface is provided and is exposed to a flux, F, of incident ions. The conditions of this incident ion exposure are selected based on (I) where C is concentration of mobile adatoms at structure surface, r is vector surface position, t is time, Y1 is number of adatoms created per incident ion, D is adatom diffusivity, $g(t)trap is average lifetime of an adatom before adatom annihilation occurs at a structure surface defect characteristic of solid state structure material, and $g(s)c is cross-section for adatom annihilation by incident ions characteristic of selected ion exposure conditions. Ion exposure condition selection controls sputtering of the structure surface by incident ions to transport, within the structure including the structure surface, material of the structure to a feature location, in response to the ion flux exposure, to produce a feature substantially by locally adding material of the structure to the feature location.
(FR)
La présente invention concerne une structure à semiconducteurs possédant une surface exposée à un flux <i>F</i> de ions incidents. Les conditions de cette exposition aux ions incidents sont choisies à partir de la formule (I). Dans cette formule <i>C</i> est une concentration d'atomes adsorbés au niveau de la surface de structure, r est une position de surface vectorielle, <i>t</i> est le temps, <i>Y</i>1 est le nombre d'atomes adsorbés crées par ion incident, <i>D</i> est le coefficient de diffusion des atomes adsorbés, $g(t)trap est la durée de vie moyenne d'un atome adsorbé avant son annihilation au niveau d'une caractéristique de défaut de surface de la structure de matériau semiconducteur et $g(s)c est la coupe de l'annihilation d'atome adsorbé par la caractéristique ion incident des conditions d'exposition aux ions choisies. La sélection des conditions d'exposition aux ions commande la pulvérisation de la surface de la structure par des ions incidents de façon à transporter, dans la structure comprenant la surface de structure, le matériau de cette structure à un emplacement de caractéristique, en réponse à l'exposition au flux ionique, afin de produire une caractéristique essentiellement par addition de matière de la structure sur l'emplacement de cette caractéristique.
Également publié en tant que
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