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Paramétrages

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1. WO2003003443 - PROCEDE DE FORMATION DE LIAISONS FUSIBLES

Numéro de publication WO/2003/003443
Date de publication 09.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/020749
Date du dépôt international 27.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 15.01.2003
CIB
H01L 23/525 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
525avec des interconnexions modifiables
CPC
H01L 23/5258
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
525with adaptable interconnections
5256comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
5258the change of state resulting from the use of an external beam, e.g. laser beam or ion beam
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
  • INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504, US
  • INFINEON TECHNOLOGIES NORTH AMERICA CORP. [US/US]; 1730 North First Street San Jose, CA 95112, US
Inventeurs
  • BARTH, Hans-Joachim; DE
  • BURRELL, Llyod, G.; US
  • FRIESE, Gerald, R.; DE
  • STETTER, Michael; DE
Mandataires
  • ANDERSON, Jay, H.; International Business Machines Corporation Dept. 18G / Bldg. 300-482 2070 Route 52 Hopewell Junction, NY 12533, US
Données relatives à la priorité
09/894,33728.06.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PROCESS FOR FORMING FUSIBLE LINKS
(FR) PROCEDE DE FORMATION DE LIAISONS FUSIBLES
Abrégé
(EN)
A process for fonning fusible links in an integrated circuit includes fonning a fusible link (40) in a final metal layer (38). The fusible link may be formed simultaneously with a bonding pad area (42). A passivation layer (44) is deposited and then patterned so that surfaces (46, 48) of the bonding pad area and the fusible link are exposed; the exposed portion ( 48) of the fusible link defines a rupture zone. The process can be advantageously employed in the fabrication of integrated circuits employing copper metallization and low k dielectric materials.
(FR)
L'invention concerne un procédé de formation d'une liaison fusible (40) dans une couche finale de métal (38). La liaison fusible peut être formée en même temps qu'une zone de plage de connexion (42). Une couche de passivation (44) est déposée puis pourvue de motifs pour que des surfaces (46, 48) de la zone de plage de connexion et la liaison fusible soient exposées ; la partie exposée (48) de la liaison de fusible définit une zone de rupture. Ledit procédé peut être utilisé de manière avantageuse dans la production de circuits intégrés, ces circuits par la métallisation au cuivre et à partir de matériaux diélectriques à faible constante k.
Également publié en tant que
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