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1. WO2003003437 - PROCEDE DE PREVISION DE RESULTATS TRAITES ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT

Numéro de publication WO/2003/003437
Date de publication 09.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006348
Date du dépôt international 25.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 13.11.2002
CIB
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
CPC
H01J 37/32935
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32917Plasma diagnostics
32935Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
H01L 22/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
  • TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-8481, JP (AllExceptUS)
  • HARADA, Satoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • SAKANO, Shinji [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • TANAKA, Hideki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • SATO, Hideaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • HARADA, Satoshi; JP
  • SAKANO, Shinji; JP
  • TANAKA, Hideki; JP
  • SATO, Hideaki; JP
Mandataires
  • KAMEYA, Yoshiaki ; KANEMOTO, KAMEYA, HAGIWARA AND INOUE YOTSUYA BRANCH Daiichi Tomizawa Building, 1-3, Yotsuya 3-chome Shinjuku-ku, Tokyo 160-0004, JP
Données relatives à la priorité
2001-19476227.06.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF PREDICTING PROCESSED RESULTS AND PROCESSING DEVICE
(FR) PROCEDE DE PREVISION DE RESULTATS TRAITES ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT
Abrégé
(EN)
A method of predicting processed results, capable of simply and accurately predicting processed results by using a small number of operation data and processed result data obtained by processing a small number of samples by a plasma processing device, and a processing device. The device comprises an operation data storing means (51) for storing operation data such as various temperatures (T1, T2, T3) and a back−side gas pressure P gathered in the step of processing a plurality of wafers (W) one by one in a processing chamber of the plasma processing device, a processed result data storing means (52) for storing processed result data such as in−plane uniformity after wafer (W) etching, a multivariable analyzing unit (54) for performing a multivariable analysis, and a multivariable analysis storing unit (55) for storing prediction expressions obtained as a result of the multivariable analysis, wherein the multivariable analyzing unit (54) performs a multivariable analysis based on data groups stored in the storing means (51, 52), the correlation between operation data and processed result data is determined via the multivariable analysis, and processed results are predicted using operation data obtained when wafers (W), other than wafers (W) correlated based on this correlation, are processed.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de prévision de résultats traités, qui peut simplement et précisément prévoir des résultats traités par utilisation d'un petit nombre de données d'exécution et de données de résultat traité obtenu par le traitement d'un petit nombre d'échantillons issus d'un dispositif de traitement au plasma. Cette invention concerne aussi un dispositif de traitement au plasma. Ce dispositif comprend un organe (51) de stockage de données d'exécution destiné à stocker des données d'exécution telles que des températures diverses (T1, T2, T3) et une pression de gaz P arrière recueillies à l'étape du traitement d'une pluralité de tranches (W) prises une par une dans une chambre de traitement du dispositif de traitement au plasma, un organe (52) de stockage de données de résultat traité destiné à stocker des données de résultat traité telles qu'une uniformité dans le plan après la gravure de la tranche, une unité (54) d'analyse à variables multiples destinée à effectuer une analyse à variables multiples et une unité (55) de stockage d'analyse à variables multiples destinée à stocker des expressions de prévision obtenues en résultat de l'analyse à variables multiples. Cette unité (54) d'analyse à variables multiples effectue une analyse à variables multiples à partir de groupes de données stockés dans les organes ( 51, 52) de stockage. La corrélation entre les données d'exécution et les données de résultat traité est déterminée via l'analyse à variables multiples et les résultats traités sont prévus à l'aide des données d'exécution obtenues lorsque des tranches (W), autres que les tranches (W) corrélées à partir de cette corrélation, sont traitées
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