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Paramétrages

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1. WO2003003414 - APPAREIL D'INJECTION DE GAZ DIRIGE DESTINE AU TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2003/003414
Date de publication 09.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/016584
Date du dépôt international 20.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 29.01.2003
CIB
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
CPC
H01J 37/3244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3244Gas supply means
H01L 21/67017
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
Déposants
  • TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; TBS Broadcast Center 3-6, Akasaka 5-chome Minato-ku Tokyo 107-8481, JP (AllExceptUS)
  • STRANG, Eric, J. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • STRANG, Eric, J.; US
Mandataires
  • MAIER, Gregory, J.; Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C. 1940 Duke Street Alexandria, VA 22314, US
Données relatives à la priorité
60/301,43629.06.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) DIRECTED GAS INJECTION APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING
(FR) APPAREIL D'INJECTION DE GAZ DIRIGE DESTINE AU TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé
(EN)
A method and system (1) for utilizing a gas injection plate (20) comprising a number of shaped orifices (e.g., sonic and simple orifices, and divergent nozzles) in the gas inject system as part of a plasma processing system. By utilizing the shaped orifices, directionality of gas flow can be improved. This improvement is especially beneficial in high aspect ratio processing.
(FR)
L'invention concerne un procédé et un système permettant d'utiliser une plaque d'injection de gaz comprenant un certain nombre d'orifices profilés (par exemple, des orifices soniques et simples et des buses divergentes) dans le système d'injection de gaz comme une partie d'un système de traitement à plasma. L'utilisation des orifices profilés permet d'améliorer la capacité de direction de l'écoulement du gaz. Cette amélioration est surtout bénéfique dans un traitement à rendement élevé.
Également publié en tant que
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