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Paramétrages

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1. WO2003003377 - DISPOSITIF DE MEMOIRE POLYMERE A BASSE TENSION ET INTERFACE TOUTE SECURITE

Numéro de publication WO/2003/003377
Date de publication 09.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/020644
Date du dépôt international 28.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 29.01.2003
CIB
H01L 21/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
H01L 29/51 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
43caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
49Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
51Matériaux isolants associés à ces électrodes
CPC
H01L 27/11502
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
10including a plurality of individual components in a repetitive configuration
105including field-effect components
112Read-only memory structures ; [ROM] and multistep manufacturing processes therefor
115Electrically programmable read-only memories; Multistep manufacturing processes therefor
11502with ferroelectric memory capacitors
H01L 29/40111
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
401Multistep manufacturing processes
4011for data storage electrodes
40111the electrodes comprising a layer which is used for its ferroelectric properties
H01L 29/516
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
43characterised by the materials of which they are formed
49Metal-insulator-semiconductor electrodes, ; e.g. gates of MOSFET
51Insulating materials associated therewith
516with at least one ferroelectric layer
Déposants
  • INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052, US
Inventeurs
  • ISENBERGER, Mark; US
  • MU, Xiao-Chun; US
  • LI, Jian; US
Mandataires
  • MALLIE, Michael, J. ; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman 12400 Wilshire Boulevard, 7th Floor Los Angeles, CA 90025, US
Données relatives à la priorité
09/897,17429.06.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) LOW-VOLTAGE AND INTERFACE DAMAGE-FREE POLYMER MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MEMOIRE POLYMERE A BASSE TENSION ET INTERFACE TOUTE SECURITE
Abrégé
(EN)
One embodiment of the invention relates to a polymer memory device and a method of making it. The polymer memory device may include a composite or single layer of a ferroelectric polymer memory that addresses surface engineering needs according to various embodiments. The ferroelectric polymer memory structure may include crystalline ferroelectric polymer layers such as single and co-polymer compositions, The structure may include spin-on and/or Langmuir- Blodgett deposited compositions. One embodiment of the invention relates to a method making embodiments of the polymer memory device. One embodiment of the invention relates to a memory system that allows the polymer memory device to interface with various existing hosts.
(FR)
Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un dispositif de mémoire polymère et un procédé de production de ce dernier. Ledit dispositif de mémoire polymère peut comprendre un composite ou une couche simple de mémoire polymère ferroélectrique qui répond aux besoins de la technologie de surface suivant de nombreux modes de réalisation. La structure de mémoire polymère ferroélectrique peut comprendre des couches de polymère ferroélectrique cristallin, telles que des compositions simples et copolymères. Ladite structure peut comprendre des compositions déposées par rotation et/ou selon une technique de Langmuir-Blodgett. Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un procédé de production de type de dispositifs de mémoire polymère. Un autre mode de réalisation de l'invention concerne un système mémoire permettant audit dispositif de mémoire polymère de faire l'interface avec de nombreux hôtes existants.
Également publié en tant que
DE10296984
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