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1. WO2003003123 - CONTROLE DE DIMENSION CRITIQUE A PARTIR D'UNE IMAGE LATENTE

Numéro de publication WO/2003/003123
Date de publication 09.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/003020
Date du dépôt international 31.01.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 17.01.2003
CIB
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
CPC
G03F 7/70633
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
70633Overlay
G03F 7/70675
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
70675using latent image
Déposants
  • ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place Mail Stop 68, One AMD Place Sunnyvale, CA 94088-3453, US
Inventeurs
  • SINGH, Bhanwar; US
  • TEMPLETON, Michael, K.; US
  • RANGARAJAN, Bharath; US
  • SUBRAMANIAN, Ramkumar; US
Mandataires
  • RODDY, Richard, J.; Advanced Micro Devices, Inc. One AMD Place, Mail Stop 68 Sunnyvale, CA 94088-3453, US
  • WRIGHT, Hugh, R.; Brookes Batchellor 102-108 Clerkenwell Road LondonEC1M 5SA, GB
Données relatives à la priorité
09/893,80728.06.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) CRITICAL DIMENSION MONITORING FROM LATENT IMAGE
(FR) CONTROLE DE DIMENSION CRITIQUE A PARTIR D'UNE IMAGE LATENTE
Abrégé
(EN)
A system for monitoring a latent image exposed in a photo resist (300, 310, 675, 790) during semiconductor manufacture is provided. The system includes one or more light sources (110, 635, 740), each light source (110, 635, 740) directing light (760, 1602, 1712, 1840, 1940, 2040) to the latent image and/or one or more gratings exposed on one or more portions of a wafer (160, 400, 540, 665, 910, 1204, 1820, 1920, 2020). Light reflected (770, 1604, 1714, 1842, 1942, 2042) from the latent image and/or the gratings is collected by a signature system (630, 720), which processes the collected light. Light passing through the latent image and/or gratings may similarly be collected by the signature system (630, 720), which processes the collected light. The collected light is analyzed and can be employed to generate feedback information to control the exposure. The collect light is further analyzed and can be employed to generate feed forward information that can be employed to control post exposure processes including development and baking processes.
(FR)
L'invention concerne un système permettant de contrôler une image latente exposée dans une photorésine (300, 310, 675, 790) lors de la fabrication de semiconducteurs. Ce système comprend au moins une source lumineuse (110, 635, 740), chaque source lumineuse (110, 635, 740) dirigeant la lumière (760, 1602, 1712, 1840, 1940, 2040) vers l'image latente et/ou au moins un réseau gravé exposé sur au moins une partie d'une plaquette (160, 400, 540, 665, 910, 1204, 1820, 1920, 2020). La lumière réfléchie (770, 1604, 1714, 1842, 1942, 2042) de l'image latente et/ou des réseaux gravés est recueillie par un système de signatures (630, 720) qui traite la lumière recueillie. La lumière passant à travers l'image latente et/ou les réseaux gravés peut également être recueillie par le système de signatures (630, 720) qui traite la lumière recueillie. La lumière recueillie est analysée et peut être utilisée pour générer des informations de rétroaction destinées à commander l'exposition. La lumière recueillie peut également être analysée et utilisée pour générer des informations de couplage vers l'avant pouvant être utilisées pour commander des processus de post-exposition, notamment des processus de développement et d'étuvage.
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