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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2003003072 - ELEMENT OPTIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2003/003072
Date de publication 09.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/005952
Date du dépôt international 13.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 09.12.2002
CIB
C30B 11/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger
G02B 1/02 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
1Eléments optiques caractérisés par la substance dont ils sont faits; Revêtements optiques pour éléments optiques
02faits de cristaux, p.ex. sel gemme, semi-conducteurs
G03F 7/20 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20Exposition; Appareillages à cet effet
CPC
C30B 11/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
C30B 29/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
12Halides
G02B 1/02
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
1Optical elements characterised by the material of which they are made
02made of crystals, e.g. rock-salt, semi-conductors
G03F 7/70966
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
70Exposure apparatus for microlithography
708Construction of apparatus, e.g. environment, hygiene aspects or materials
7095Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
70958Optical materials and coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance
70966Birefringence
Y10S 117/918
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
117Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
918Single-crystal waveguide
Déposants
  • CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 30-2 Shimomaruko 3-chome Ohta-ku, Tokyo 146-8501, JP
Inventeurs
  • TAKEUCHI, Seiji; JP
  • UNNO, Yasuyuki; JP
Mandataires
  • FUJIMOTO, Ryosuke; Tokyo ST Bldg. 9th Floor 9-4, Hatchobori 4-chome Chuo-ku, Tokyo 104-0032, JP
Données relatives à la priorité
2001-23425427.06.2001JP
2001-24497006.07.2001JP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) OPTICAL ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) ELEMENT OPTIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
An optical element and a manufacturing method therefor, an exposure apparatus, and a device manufacturing method that can reduce the effect of intrinsic birefringence under high NA conditions. According to an optical element as one aspect of the present invention, an angle between a [0 0 1] axis of an isometric crystal and an optical axis is less than 10°, and preferably 0°.
(FR)
L'invention concerne un élément optique et son procédée de fabrication, un appareil d'exposition, et un procédé de fabrication de dispositif permettant de réduire l'effet de biréfringence intrinsèque dans des conditions d'ouverture numérique élevée. Dans un aspect de l'invention, l'élément optique est tel qu'un angle compris entre un axe de cristal isomère [0 1] et un axe optique est inférieur à 10°, et de préférence égal à 0°.
Également publié en tant que
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