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Paramétrages

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1. WO2003002457 - PROCEDE DE PRODUCTION DE FEUILLES MINCES, ET PILE SOLAIRE

Numéro de publication WO/2003/002457
Date de publication 09.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006189
Date du dépôt international 20.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 02.10.2002
CIB
C30B 19/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
19Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide
C30B 19/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
19Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide
06Chambres de réaction; Nacelles pour bain fondu; Porte-substrat
CPC
C30B 19/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
19Liquid-phase epitaxial-layer growth
C30B 19/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
19Liquid-phase epitaxial-layer growth
06Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
C30B 19/064
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
19Liquid-phase epitaxial-layer growth
06Reaction chambers; Boats for supporting the melt; Substrate holders
064Rotating sliding boat system
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
Déposants
  • SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku Osaka-shi, Osaka 545-8522, JP (AllExceptUS)
  • GOMA, Shuji [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • TSUKUDA, Yoshihiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • YOSHIDA, Koji [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • GOMA, Shuji; JP
  • TSUKUDA, Yoshihiro; JP
  • YOSHIDA, Koji; JP
Mandataires
  • FUKAMI, Hisao ; Fukami Patent Office Mitsui Sumitomo Bank Minamimorimachi Bldg. 1-29, Minamimorimachi 2-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 530-0054, JP
Données relatives à la priorité
2001-19836629.06.2001JP
2001-34622512.11.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) THIN SHEET PRODUCING METHOD, AND SOLAR CELL
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE FEUILLES MINCES, ET PILE SOLAIRE
Abrégé
(EN)
A shin sheet producing method for obtaining a thin sheet of metallic material or semiconductor material in that a substrate having a growth surface is contacted with a melt of the above−mentioned material to grow crystals of the material on the substrate, wherein as seen from the thin sheet growth surface side of the substrate, the substrate and/or the melt is moved so that the melt moves toward the thin sheet growth surface side of the substrate. For example, by moving a movable body of substrate having a growth surface (5a), the growth surface (5a) is brought into contact with a melt (3), and then the growth surface (5a) is separated from the melt (3), such series of moving operations causing crystals of the material to grow on the growth surface (5a); in such thin sheet producing method, the orbit of the substrate leaving the melt (3) is circular, and the distance between the front end of the growth surface (5a) as seen in the movement direction and the center of rotation along the circular orbit is set at a value smaller than the distance between the terminal end of the growth surface (5a) as seen in the movement direction and the center of rotation along the circular orbit.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de production de feuilles minces en vue d'obtenir une feuille mince de matériau métallique ou de matériau semi-conducteur caractérisé en ce qu'il comporte la mise en contact d'un substrat présentant une surface de croissance avec un bain dudit matériau pour la croissance de cristaux du matériau sur le substrat, procédé dans lequel en partant de la surface de croissance du substrat, on déplace le substrat et /ou le bain de sorte que le bain se déplace vers la surface de croissance de la feuille mince du substrat. Par exemple, en déplaçant un corps mobile du substrat présentant une surface de croissance (5a), on assure la mise en contact de la surface de croissance (5a) avec un bain (3), et ensuite on sépare la surface de croissance (5a) du bain (3), cette série d'opérations de déplacement provoquant la croissance des cristaux du matériau sur la surface de croissance (5a). Dans un tel procédé de production de feuilles minces, l'orbite du substrat se séparant du bain est circulaire, et la distance entre l'extrémité avant de la surface de croissance (5a) vue dans la direction de mouvement et le centre de rotation selon l'orbite circulaire est établie à une valeur inférieure à la distance entre l'extrémité terminale de la surface de croissance (5a) vue dans la direction de mouvement et le centre de rotation selon l'orbite circulaire.
Également publié en tant que
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