Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2003002450 - TECHNIQUE DE COUCHE SACRIFICIELLE SERVANT A PRATIQUER DES CREUX DANS DES STRUCTURES MICRO-ELECTROMECANIQUES

Numéro de publication WO/2003/002450
Date de publication 09.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/020764
Date du dépôt international 27.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 27.01.2003
CIB
B81B 3/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
BDISPOSITIFS OU SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE, p.ex. DISPOSITIFS MICROMÉCANIQUES
3Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p.ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques
H03H 3/007 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
3Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs
007pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques
CPC
B81C 1/00126
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00015for manufacturing microsystems
00023without movable or flexible elements
00126Static structures not provided for in groups B81C1/00031 - B81C1/00119
B81C 2201/0109
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2201Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
01in or on a substrate
0101Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
0102Surface micromachining
0105Sacrificial layer
0109Sacrificial layers not provided for in B81C2201/0107 - B81C2201/0108
H03H 3/0072
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
0072of microelectro-mechanical resonators or networks
Déposants
  • INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052, US
Inventeurs
  • MA, Qing; US
  • CHENG, Peng; US
Mandataires
  • MALLIE, Michael, J. ; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman 12400 Wilshire Boulevard 7th Floor Los Angeles, CA 90025, US
Données relatives à la priorité
09/894,33427.06.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SACRIFICIAL LAYER TECHNIQUE TO MAKE GAPS IN MEMS APPLICATIONS
(FR) TECHNIQUE DE COUCHE SACRIFICIELLE SERVANT A PRATIQUER DES CREUX DANS DES STRUCTURES MICRO-ELECTROMECANIQUES
Abrégé
(EN)
A method comprising over an area of a substrate, forming a plurality of three dimensional first structures; following forming the first structures, conformally introducing a sacrificial material over the area of the substrate; introducing a second structural material over the sacrificial material; and removing the sacrificial material. An apparatus comprising a first structure on a substrate; and a second structure on the substrate and separated from the first structure by an unfilled gap defined by the thickness of a removed film.
(FR)
Procédé consistant à créer, au-dessus d'une zone de substrat, une pluralité de premières structures tridimensionnelles, à introduire un matériau sacrificiel adaptable au-dessus de ladite zone après la création desdites premières structures, à placer un deuxième matériau structurel au-dessus du matériau sacrificiel et à enlever ledit matériau sacrificiel. Dispositif comprenant une première structure sur un substrat et une deuxième structure sur ledit substrat, séparée de la première structure par un creux défini par l'épaisseur correspondant à la suppression d'une couche.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international