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1. WO2003001858 - PROCEDE ET DISPOSITIF POUR PROCEDURE D'INSTALLATION

Numéro de publication WO/2003/001858
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/005829
Date du dépôt international 12.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 30.09.2002
CIB
H01L 21/48 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
48Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326218
H05K 3/34 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
KCIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
30Assemblage de circuits imprimés avec des composants électriques, p.ex. avec une résistance
32Connexions électriques des composants électriques ou des fils à des circuits imprimés
34Connexions soudées
CPC
H01L 21/4864
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
4814Conductive parts
4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
4864Cleaning, e.g. removing of solder
H01L 2224/75
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
H01L 2224/7501
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
7501Means for cleaning, e.g. brushes, for hydro blasting, for ultrasonic cleaning, for dry ice blasting, using gas-flow, by etching, by applying flux or plasma
H01L 2224/751
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
751Means for controlling the bonding environment, e.g. valves, vacuum pumps
H01L 2224/81013
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
81using a bump connector
81009Pre-treatment of the bump connector or the bonding area
8101Cleaning the bump connector, e.g. oxide removal step, desmearing
81013Plasma cleaning
H01L 2224/81075
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
81using a bump connector
81053Bonding environment
81054Composition of the atmosphere
81075being inert
Déposants
  • TORAY ENGINEERING CO., LTD. [JP/JP]; Nakanoshima Mitui Bldg. 3-3, Nakanoshima 3-chome Kita-ku Osaka-shi Osaka 530-0005, JP (AllExceptUS)
  • YAMAUCHI, Akira [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • YAMAUCHI, Akira; JP
Mandataires
  • BAN, Toshimitsu; Ban & Associates Shinko Bldg., 1-9, Nishishinjuku 8-chome Shinjuku-ku, Tokyo 160-0023, JP
Données relatives à la priorité
2001-18716420.06.2001JP
2002-12224424.04.2002JP
2002-4337820.02.2002JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD AND DEVICE FOR INSTALLATION
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR PROCEDURE D'INSTALLATION
Abrégé
(EN)
A method and a device for installation, the method characterized by comprising the steps of forming an energy wave or energy particle flow area (9) in a clearance formed between connected parts with metal connection parts (4) and (5) before connecting the connected parts to each other, substantially washing the surfaces of the metal connection parts (4) and (5) of the connected parts simultaneously by the flowing energy wave or the energy particles, and connecting to each other the metal connection parts (4) and (5) of both connected parts having the surfaces activated by washing, whereby, basically, a chamber can be eliminated, the use of a large amount of special gas can be eliminated, the metal connection parts (4) and (5) can be activated by efficiently washing out the surfaces thereof, and a connection at the ambient temperature or a low temperature is enabled.
(FR)
L'invention concerne un procédé et un dispositif pour procédure d'installation. On établit une zone d'écoulement d'onde d'énergie ou de particules d'énergie (9), dans un dégagement entre des parties connectées par des éléments de liaison métalliques (4) et (5), avant de relier ces parties entre elles. On lave sensiblement les surfaces des éléments (4) et (5), simultanément, par le biais de l'onde ou des particules d'énergie, puis on relie entre eux lesdits éléments (4) et (5) des deux parties connectées, dont les surfaces sont activées suite au lavage. Fondamentalement, ce procédé permet d'éliminer une chambre, de se passer de l'utilisation d'une grande quantité de gaz spécial, d'activer les éléments de liaison métalliques (4) et (5) par un lavage efficace de leurs surfaces, et d'activer une connexion à température ambiante ou à faible température.
Également publié en tant que
CN02816265.X
RU2004103628
RU2004108210
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