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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2003001614 - DISPOSITIF MAGNETO-RESISTIF ET PROCEDE DE PRODUCTION

Numéro de publication WO/2003/001614
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006344
Date du dépôt international 25.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 14.01.2003
CIB
G01R 33/09 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
06en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
09des dispositifs magnéto-résistifs
G11B 5/39 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
BENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
5Enregistrement par magnétisation ou démagnétisation d'un support d'enregistrement; Reproduction par des moyens magnétiques; Supports d'enregistrement correspondants
127Structure ou fabrication des têtes, p.ex. têtes à variation d'induction
33Structure ou fabrication de têtes sensibles à un flux
39utilisant des dispositifs magnétorésistifs
H01F 41/30 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
FAIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
41Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques
14pour appliquer des pellicules magnétiques sur des substrats
30pour appliquer des structures nanométriques, p.ex. en utilisant l'épitaxie par jets moléculaires (MBE)
H01L 43/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08Résistances commandées par un champ magnétique
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
B82Y 25/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
25Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
G01R 33/093
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
093using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
G11B 2005/3996
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
5Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, ; i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
39using magneto-resistive devices ; or effects
3996large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
G11B 5/3903
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
5Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, ; i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
39using magneto-resistive devices ; or effects
3903using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Déposants
  • MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006-banchi, Oaza-Kadoma Kadoma-shi, Osaka 571-8501, JP (AllExceptUS)
  • MATSUKAWA, Nozomu [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • ODAGAWA, Akihiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • SUGITA, Yasunari [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • SATOMI, Mitsuo [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • KAWASHIMA, Yoshio [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • HIRAMOTO, Masayoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • MATSUKAWA, Nozomu; JP
  • ODAGAWA, Akihiro; JP
  • SUGITA, Yasunari; JP
  • SATOMI, Mitsuo; JP
  • KAWASHIMA, Yoshio; JP
  • HIRAMOTO, Masayoshi; JP
Mandataires
  • IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 26th Floor, OAP TOWER, 8-30, Tenmabashi 1-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 530-6026, JP
Données relatives à la priorité
2001-19221726.06.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) MAGNETORESISTIVE DEVICE AND ITS PRODUCING METHOD
(FR) DISPOSITIF MAGNETO-RESISTIF ET PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé
(EN)
A magnetoresistive device produced by a method including a heat−treatment step at above 330 ° C, having maximum lengths of 10 nm or less from the center line of a nonmagnetic layer to the interfaces between a pair of ferromagnetic layers and the nonmagnetic layer, and exhibiting magnetoresistance characteristics exceeding those of conventional devices. The device is produced by, for example, forming an underlying film on a substrate, heat−treating the underlying film at 400 ° C or more, reducing the surface roughness by irradiating the underlying film with an ion beam, and forming the ferromagnetic and nonmagnetic layers. The maximum length can relatively also decrease if M1 (at least one kind selected from among Tc, Re, Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Pt, Cu, Ag, and Au) is added to the region in the ferromagnetic layer to the depth of 2 nm from the interface with the nonmagnetic layer.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif magnéto-résistif qui est produit selon un procédé comportant une étape de traitement thermique à une température supérieure à 300 °C, et qui présente des longueurs maximales inférieures ou égales à 10 nm depuis la ligne centrale d'une couche non magnétique jusqu'aux interfaces entre une paire de couches ferromagnétiques et la couche non magnétique, et qui possède des caractéristiques de magnéto-résistance supérieures à celles des dispositifs classiques. On produit le dispositif de l'invention, par exemple, en formant une pellicule sous-jacente sur un substrat, en soumettant celle-ci à un traitement thermique à une température supérieure ou égale à 400 °C, en réduisant les rugosités de surface par irradiation de la pellicule sous-jacente avec un faisceau ionique, et en formant des couches ferromagnétiques et non magnétiques. En outre, on peut aussi relativement réduire la longueur maximale en ajoutant M1 (au moins une espèce choisie parmi Tc, Re, Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Pt, Cu, Ag, et Au) à la région de la couche ferromagnétique jusqu'à une profondeur de 2 nm depuis l'interface avec la couche non magnétique.
Également publié en tant que
US10693283
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