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Paramétrages

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1. WO2003001608 - PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE A COUCHES MINCES

Numéro de publication WO/2003/001608
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2001/005342
Date du dépôt international 21.06.2001
CIB
G01P 15/08 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
PMESURE DES VITESSES LINÉAIRES OU ANGULAIRES, DE L'ACCÉLÉRATION, DE LA DÉCÉLÉRATION OU DES CHOCS; INDICATION DE LA PRÉSENCE OU DE L'ABSENCE D'UN MOUVEMENT; INDICATION DE LA DIRECTION D'UN MOUVEMENT
15Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération
02en ayant recours aux forces d'inertie
08avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques
G01P 15/125 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
PMESURE DES VITESSES LINÉAIRES OU ANGULAIRES, DE L'ACCÉLÉRATION, DE LA DÉCÉLÉRATION OU DES CHOCS; INDICATION DE LA PRÉSENCE OU DE L'ABSENCE D'UN MOUVEMENT; INDICATION DE LA DIRECTION D'UN MOUVEMENT
15Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération
02en ayant recours aux forces d'inertie
08avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques
125au moyen de capteurs à capacité
CPC
G01P 15/0802
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
15Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
02by making use of inertia forces ; using solid seismic masses
08with conversion into electric or magnetic values
0802Details
G01P 15/125
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
15Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
02by making use of inertia forces ; using solid seismic masses
08with conversion into electric or magnetic values
125by capacitive pick-up
G01P 2015/0814
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
15Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
02by making use of inertia forces ; using solid seismic masses
08with conversion into electric or magnetic values
0805being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
0808for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate
0811for one single degree of freedom of movement of the mass
0814for translational movement of the mass, e.g. shuttle type
Déposants
  • MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-8310, JP (AllExceptUS)
  • OKUMURA, Mika [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • HORIKAWA, Makio [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • ISHIBASHI, Kiyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • OKUMURA, Mika; JP
  • HORIKAWA, Makio; JP
  • ISHIBASHI, Kiyoshi; JP
Mandataires
  • YOSHIDA, Shigeaki ; Sumitomo-seimei OBP Plaza Building 10th Floor 4-70, Shiromi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 540-0001, JP
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING THIN−FILM STRUCTURE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE A COUCHES MINCES
Abrégé
(EN)
A method for manufacturing a thin−film structure with high strength and high reliability comprising a sacrifice film having no projection on its surface. After a sacrifice film having a thickness greater than a predetermined one is formed, the surface of the sacrifice film is removed and flattened to adjust the thickness to the predetermined one. The influence of the irregular surface of the substrate (1) is eliminated and the surface of the sacrifice film is flattened. By using the sacrifice film, a mass body (3), a beam (7), and a fixed electrode (5) of a semiconductor acceleration sensor are manufactured.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure à couches minces présentant une résistance et une fiabilité élevées et comprenant une couche sacrificielle dépourvue de saillies sur sa surface. Après la formation d'une couche sacrificielle présentant une épaisseur supérieure à une épaisseur prédéterminée, la surface de cette couche sacrificielle est retirée et aplatie, d'où un ajustement à cette épaisseur prédéterminée. L'influence de la surface irrégulière du substrat (1) est supprimée, la surface de la couche sacrificielle étant aplatie. L'utilisation de cette couche sacrificielle permet de produire un corps de masse (3), une arête centrale (7) et une électrode fixe (5) d'un détecteur d'accélération à semi-conducteur.
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