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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2003001606 - ENSEMBLE TRANSISTORS A COUCHES MINCES ET SON PROCEDE DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2003/001606
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/KR2002/001174
Date du dépôt international 20.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 06.01.2003
CIB
G02F 1/1343 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
FDISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
1333Dispositions relatives à la structure
1343Electrodes
G02F 1/1362 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
FDISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362Cellules à adressage par une matrice active
H01L 29/49 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
43caractérisées par les matériaux dont elles sont constituées
49Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
CPC
G02F 1/13439
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
1333Constructional arrangements; ; Manufacturing methods
1343Electrodes
13439characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
G02F 1/13458
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
1333Constructional arrangements; ; Manufacturing methods
1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
13458Terminal pads
G02F 2001/136236
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
1362Active matrix addressed cells
136231for reducing the number of lithographic steps
136236using a gray or half tone lithographic process
H01L 29/4908
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
43characterised by the materials of which they are formed
49Metal-insulator-semiconductor electrodes, ; e.g. gates of MOSFET
4908for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
Déposants
  • SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 416, Maetan-dong, Yeongtong-ku Suwon-si 442-742 kyungki-do, KR (AllExceptUS)
  • BYUN, Jae-Seong [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • LEE, Kun-Jong [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • LIM, Hyun-Su [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • CHA,, Jong-Hwan [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • JUNG, Bae-Hyoun [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs
  • BYUN, Jae-Seong; KR
  • LEE, Kun-Jong; KR
  • LIM, Hyun-Su; KR
  • CHA,, Jong-Hwan; KR
  • JUNG, Bae-Hyoun; KR
Mandataires
  • YOU ME PATENT & LAW FIRM; Teheran Bldg., 825-33 Yoksam-dong, Kangnam-ku Seoul 135-080, KR
Données relatives à la priorité
2001/3530321.06.2001KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
(FR) ENSEMBLE TRANSISTORS A COUCHES MINCES ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
The present invention relates to a TFT array panel and a fabricating method thereof. A gate insulating layer and a passivation layer are formed by printing organic insulating material in order to simplify the fabricating process. The inventive TFT panel includes an insulating substrate, and a gate wire formed on the insulating substrate. The gate wire includes a gate line extending in a first direction and a gate pad connected to one end of the gate line. A gate insulating layer is formed on the insulating substrate while exposing the gate pad and a portion of the gate line close to the gate pad. A semiconductor pattern is formed on the gate insulating layer. A data wire is formed on the gate insulating layer. The data wire includes a data line extending in a second direction and intersecting the gate line, a source electrode connected to the data line while contacting the semiconductor pattern, a drain electrode facing the source electrode while contacting the semiconductor pattern, and a data pad connected to one end of the data line. A passivation layer is formed on the gate insulating layer while exposing the data pad and a portion of the data line close to the data pad.
(FR)
L'invention concerne un panneau de réseaux de transistors à couches minces (TFT), ainsi que leur procédé de fabrication. On crée une couche isolante de grille et une couche de passivation au moyen d'une impression de matériaux isolants organiques, dans le but de simplifier le procédé de fabrication. Ce panneau TFT comporte un substrat isolant et un fil de grille constitué sur ce substrat isolant. Ce fil de grille comprend une ligne de grille s'étendant dans un premier sens et une plage de grille reliée à une extrémité de la ligne de grille. On crée une couche isolante de grille sur le substrat isolant, tout en découvrant la plage de grille et une partie de la ligne de grille située à proximité de la plage de grille. On crée une configuration semi-conductrice sur la couche isolante de grille. On constitue un réseau de données sur la couche isolante de grille. Ce réseau de données comprend une ligne de données s'étendant dans un deuxième sens et venant couper la ligne de grille, une électrode de source connectée à la ligne de données, tout en venant en contact avec la configuration semi-conductrice, une électrode de drain située en face de l'électrode de source et venant en contact avec la configuration semi-conductrice et une plage de données reliée à une extrémité de la ligne de données. On forme une couche de passivation sur la couche isolante de grille, tout en découvrant la plage de données et une partie de la ligne de données à proximité de ladite plage de données.
Également publié en tant que
RU2004108155
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international