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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2003001597 - PUCES EMPILEES MISES EN CONTACT VERTICALEMENT

Numéro de publication WO/2003/001597
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/EP2002/006861
Date du dépôt international 20.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 30.10.2002
CIB
H01L 23/48 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 25/065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
CPC
H01L 2225/06513
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2225Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00
04the devices not having separate containers
065the devices being of a type provided for in group H01L27/00
06503Stacked arrangements of devices
06513Bump or bump-like direct electrical connections between devices, e.g. flip-chip connection, solder bumps
H01L 2225/06541
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2225Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
03All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00
04the devices not having separate containers
065the devices being of a type provided for in group H01L27/00
06503Stacked arrangements of devices
06541Conductive via connections through the device, e.g. vertical interconnects, through silicon via [TSV]
H01L 23/481
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements
481Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
H01L 25/0657
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
065the devices being of a type provided for in group H01L27/00
0657Stacked arrangements of devices
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
  • GIESECKE & DEVRIENT GMBH [DE/DE]; Prinzregentenstrasse 159 81677 München, DE (AllExceptUS)
  • GRASSL, Thomas [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • GRASSL, Thomas; DE
Mandataires
  • KLUNKER, SCHMITT-NILSON, HIRSCH; Winzererstrasse 106 80797 München, DE
Données relatives à la priorité
101 30 864.721.06.2001DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERTIKAL KONTAKTIERTE, ÜBEREINANDER GESTAPELTE CHIPS
(EN) VERTICALLY CONTACTED STACKED CHIPS
(FR) PUCES EMPILEES MISES EN CONTACT VERTICALEMENT
Abrégé
(DE)
In einer dreidimensionalen Chipanordnung sind die Interchip-Kontaktflächen (15) zur vertikalen Kontaktierung übereinander angeordneter Chiplagen (1-3, 1'-3') in Kontaktflächenbereiche (9) unterteilt. Die Grösse eines jeden Kontaktflächenbereichs (9) entspricht vorzugsweise der Grösse des Kontaktelements, mit dem der Kontakt zu einer oberen Chiplage (1'-3') hergestellt wird. Mittels einer Ansteuerlogik werden lediglich diejenigen Kontaktflächenbereiche (9) 'aktiv' geschaltet, die tatsächlich kontaktiert sind. An den übrigen Kontaktflächenbereichen liegt somit kein Potential an. Dadurch wird das Übersprechverhalten der Interchip-Verbindung zu Metallisierungen angrenzender Chiplagen wesentlich verbessert.
(EN)
The invention relates to a three-dimensional chip assembly, in which the interchip contact surfaces (15) are divided into contact surface zones (9) for vertically contacting chip layers (1-3, 1'-3') that are arranged one above the other. The size of each contact surface zone (9) preferably corresponds to the size of the contact element, which is used to create the contact with an upper chip layer (1'-3'). Only the contact surface zones (9) that are actually contacted are switched to 'active' by means of a control logic. No voltage is therefore applied to the remaining contact surface zones. The crosstalk behaviour of the interchip connection in relation to metallized sections of adjacent chip layers is thus significantly improved.
(FR)
Selon l'invention, dans un agencement de puces tridimensionnel, les surfaces de contact (15) entre les puces, sont divisées en zones de surfaces de contact (9) pour la mise en contact vertical de couches de puces (1-3, 1'-3') placées l'une au-dessus de l'autre. La grandeur de chaque zone de surface de contact (9) correspond de préférence à la grandeur de l'élément de contact avec lequel le contact doit être établi par rapport à une couche de puces (1'-3') supérieure. Au moyen d'une logique de commande, seules les zones de surface de contact (9) qui sont effectivement mises en contact sont commutées à l'état 'actif'. Ainsi, il n'y a aucun potentiel au niveau des autres zones de surface de contact. Grâce à cela, le comportement relatif aux interférences de la liaison entre les puces avec les couches de puces jouxtant les métallisations est sensiblement amélioré.
Également publié en tant que
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