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Paramétrages

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1. WO2003001581 - PROCEDES ET DISPOSITIF POUR LE RETRAIT D'UN MATERIAU CONDUCTEUR D'UN SUBSTRAT MICRO-ELECTRONIQUE PAR VOIE ELECTRIQUE, MECANIQUE OU CHIMIQUE

Numéro de publication WO/2003/001581
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/019495
Date du dépôt international 20.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 15.01.2003
CIB
C25F 3/14 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
FPROCÉDÉS POUR LE TRAITEMENT D'OBJETS PAR ENLÈVEMENT ÉLECTROLYTIQUE DE MATIÈRE; APPAREILLAGES À CET EFFET
3Attaque de surface ou polissage électrolytique
02Attaque de surface
14localisée, c. à d. gravure
B24B 37/04 2012.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
04conçus pour travailler les surfaces planes
H01L 21/3063 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3063Gravure électrolytique
H01L 21/3205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
H01L 21/321 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321Post-traitement
H01L 21/3213 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321Post-traitement
3213Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
CPC
B24B 37/046
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
04designed for working plane surfaces
046using electric current
C25F 3/30
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
FPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
3Electrolytic etching or polishing
16Polishing
30of semiconducting materials
C25F 5/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
FPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
5Electrolytic stripping of metallic layers or coatings
C25F 7/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
FPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
7Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic removal of material from objects
H01L 21/32125
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
321After treatment
32115Planarisation
3212by chemical mechanical polishing [CMP]
32125by simultaneously passing an electrical current, i.e. electrochemical mechanical polishing, e.g. ECMP
Déposants
  • MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; P.O. BOX 6 8000 South Federal Way Boise, ID 83706-9632, US
Inventeurs
  • LEE, Whonchee; US
  • MEIKLE, Scott G.; US
  • MOORE, Scott E.; US
  • DOAN, Trung T.; US
Mandataires
  • WECHKIN, John, W. ; Perkins Coie LLP P.O. Box 1247 Seattle, WA 98111-1247, US
  • HIRSCH, Peter, KLUNKER, SCHMITT-NILSON- HIRSCH; Winzererstrabe 106 D - 80797 München, DE
Données relatives à la priorité
09/887,76721.06.2001US
09/888,00221.06.2001US
09/888,08421.06.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHODS AND APPARATUS FOR ELECTRICAL, MECHANICAL AND/OR CHEMICAL REMOVAL OF CONDUCTIVE MATERIAL FROM A MICROELECTRONIC SUBSTRATE
(FR) PROCEDES ET DISPOSITIF POUR LE RETRAIT D'UN MATERIAU CONDUCTEUR D'UN SUBSTRAT MICRO-ELECTRONIQUE PAR VOIE ELECTRIQUE, MECANIQUE OU CHIMIQUE
Abrégé
(EN)
A method and apparatus for removing conductive material from a microelectronic substrate. In one embodiment, the method can include engaging a microelectronic substrate with a polishing surface of a polishing pad,electrically coupling a conductive material of the microelectronic substrate to a source of electrical potential,and oxidizing at least a portion of the conductive material by passing an electrical current through the conductive material from the source of electrical potential. For example, the method can include positioning first and second electrodes apart from a face surface of the microelectronic substrate, disposing an electrolytic fluid between the face surface and the electrodes with the electrodes in fluid communication with the electrolytic fluid, and movingat least one of the microelectronic and the polishing pad relative to the other.
(FR)
L'invention se rapporte à un procédé et à un dispositif permettant le retrait d'un matériau conducteur d'un substrat micro-électronique. Dans un mode de réalisation, le procédé peut consister à mettre en contact un substrat micro-électronique avec la surface de polissage d'un tampon de polissage, à coupler électriquement un matériau conducteur du substrat micro-électronique à une source de potentiel électrique, et à oxyder au moins une partie du matériau conducteur par application d'un courant électrique au travers du matériau conducteur à partir de la source de potentiel électrique. Par exemple, le procédé peut consister à disposer une première et une deuxième électrodes de part et d'autre d'une surface faciale d'un substrat micro-électronique, à disposer un fluide électrolytique entre ladite surface faciale et les électrodes, les électrodes étant en communication fluidique avec le fluide électrolytique, et à déplacer au moins le substrat micro-électronique par rapport au tampon de polissage ou inversement.
Également publié en tant que
RU2004108137
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international