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Paramétrages

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1. WO2003001573 - APPAREIL PERMETTANT DE FABRIQUER DES STRUCTURES DE SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/2003/001573
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2001/050329
Date du dépôt international 20.12.2001
CIB
C30B 23/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
23Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé
02Croissance d'une couche épitaxiale
CPC
C30B 23/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
02Epitaxial-layer growth
C30B 29/40
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
C30B 29/403
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
403AIII-nitrides
C30B 29/406
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
40AIIIBV compounds ; wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
403AIII-nitrides
406Gallium nitride
Déposants
  • MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196, US
Inventeurs
  • DROOPAD, Ravindranath; US
  • MASSIE, Scott, T.; US
Mandataires
  • KOCH, William, E. ; Motorola Labs 3102 North 56th Street AZ11/56-238 Phoenix, AZ 85018-6606, US
Données relatives à la priorité
09/884,98121.06.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) APPARATUS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR STRUCTURES
(FR) APPAREIL PERMETTANT DE FABRIQUER DES STRUCTURES DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé
(EN)
An apparatus for forming a semiconductor structure is provided. The apparatus includes a chamber (102) and a plurality of first material sources (106-110) positioned at least partially within the chamber. The plurality of first material sources are configured to provide materials for the formation of a monocrystalline accommodating buffer layer (204) on a substrate (202). The plurality of first material sources includes an oxygen source (116). At least one second material source (112-114) is also positioned at least partially within the chamber and is configured to provide material for the formation of a monocrystalline oxygen-doped material layer (206) overlying the monocrystalline accommodating buffer layer. The apparatus also includes an oxygen-adjustment mechanism (132) configured to adjust the partial pressure of oxygen in the chamber.
(FR)
L'invention concerne un appareil permettant de former une structure de semi-conducteur. Cet appareil comporte une chambre (102) ainsi qu'une pluralité de premières sources de matière (106-110) disposées au moins partiellement à l'intérieur de ladite chambre. Cette pluralité de premières sources de matière sont configurées pour fournir des matières permettant la formation d'une couche tampon d'accueil monocristalline (204) sur un substrat (202). Parmi ladite pluralité de premières sources de matière figure une source d'oxygène (116). Au moins une seconde source de matière (112-114) est également placée au moins partiellement à l'intérieur de ladite chambre et est configurée pour fournir de la matière permettant la formation d'une couche de matière monocristalline dopée à l'oxygène (206) au-dessus de la couche tampon d'accueil monocristalline. L'appareil comporte en outre un mécanisme de régulation de l'oxygène (132) configuré pour réguler la pression partielle de l'oxygène dans la chambre.
Également publié en tant que
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