Traitement en cours

Veuillez attendre...

PATENTSCOPE sera indisponible durant quelques heures pour des raisons de maintenance le dimanche 05.04.2020 à 10:00 AM CEST
Paramétrages

Paramétrages

1. WO2003001570 - COMMUTATEURS ELECTRONIQUES A NANOPARTICULES DE SILICIUM

Numéro de publication WO/2003/001570
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/003725
Date du dépôt international 08.02.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 22.08.2002
CIB
H01L 21/335 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
H01L 29/76 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
B82Y 15/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
15Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors
H01L 29/66439
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66439with a one- or zero-dimensional channel, e.g. quantum wire FET, in-plane gate transistor [IPG], single electron transistor [SET], striped channel transistor, Coulomb blockade transistor
H01L 29/7613
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
7613Single electron transistors; Coulomb blockade devices
Déposants
  • THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS [US/US]; 506 Wright Street 352 Henry Administration Building Urbana, IL 61801, US
Inventeurs
  • NAYFEH, Munir, H.; US
  • THERRIEN, Joel; US
  • SMITH, Adam, D.; US
Mandataires
  • FALLON, Steven, P.; Greer, Burns & Crain, Ltd. 300 South Wacker Drive Suite 2500 Chicago, IL 60606, US
Données relatives à la priorité
09/781,14709.02.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SILICON NANOPARTICLE ELECTRONIC SWITCHES
(FR) COMMUTATEURS ELECTRONIQUES A NANOPARTICULES DE SILICIUM
Abrégé
(EN)
An electronic fast switch for operation at room temperature utilizing uniform silicon nanoparticles ($m(k)1 nm with about 1 part per thousand exceeding 1 nm) between two conducting electrodes (10,18). The silicon nanoparticles, when on an n-type silicon substrate exhibit, at zero bias, a large differential conductance, approaching near full transparency. The conductance is observed after one of the electrode is first biased at a voltage in the range 3 to 5 eV (switching voltage), otherwise the device does not conduct (closed). A practical MOSFET switch of the invention includes the silicon nanoparticles (16) in a body of the MOSFET, with the gate (24) and substrate (22) forming the two conducting electrodes. Electrodes may be realized by metal in other switches of the invention.
(FR)
L'invention concerne un commutateur électronique rapide, destiné à fonctionner à température ambiante, utilisant des nanoparticules uniformes de silicium ($m(k)1 nm avec environ 1 partie par million dépassant 1 nm) entre deux électrodes conductrices (10,18). Ces nanoparticules de silicium, lorsqu'elles se trouvent sur un substrat en silicium de type n, montrent, à polarisation nulle, une conductance différentielle importante, voisine d'une transparence presque complète. La conductance est observée après qu'une électrode soit polarisée en premier sous une tension d'environ 3 à 5 eV (tension de commutation), car dans le cas contraire le dispositif n'est pas conducteur (fermé). Un commutateur MOSFET pratique de l'invention comprend les nanoparticules de silicium (16) dans un corps du MOSFET, la grille (24) et le substrat (22) formant les deux électrodes conductrices. Il est possible de réaliser des électrodes métalliques dans d'autres commutateurs de l'invention.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international