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Paramétrages

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1. WO2003001532 - ENSEMBLE DRAIN ET SOURCE DE COURANT POUR MEMOIRES MAGNETORESISTIVES (MRAM)

Numéro de publication WO/2003/001532
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/003042
Date du dépôt international 25.01.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 21.08.2002
CIB
G11C 11/15 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02utilisant des éléments magnétiques
14utilisant des éléments à pellicules minces
15utilisant des couches magnétiques multiples
G11C 11/16 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02utilisant des éléments magnétiques
16utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
H01L 21/8246 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8239Structures de mémoires
8246Structures de mémoires mortes (ROM)
H01L 27/22 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
22comprenant des composants utilisant les effets galvanomagnétiques, p.ex. effet Hall; utilisant des effets de champ magnétique analogues
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
G11C 11/1655
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1653Address circuits or decoders
1655Bit-line or column circuits
G11C 11/1675
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1675Writing or programming circuits or methods
G11C 8/12
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
8Arrangements for selecting an address in a digital store
12Group selection circuits, e.g. for memory block selections, chip selection, array selection
H01L 27/222
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
22including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effects; using similar magnetic field effects
222Magnetic non-volatile memory structures, e.g. MRAM
Déposants
  • INFINEON TECHNOLOGIES NORTH AMERICA CORP. [US/US]; 1730 North First Street San Jose, CA 95112-4508, US
Inventeurs
  • LAMMERS, Stefan; US
Mandataires
  • BRADEN, Stanton, C.; Siemens Corporation Intellectual Property Dept. 186 Wood Avenue South Iselin, NJ 08830, US
  • EPPING HERMANN & FISCHER; Postfach 12 10 26 80034 München, DE
Données relatives à la priorité
09/885,75920.06.2001US
60/263,90924.01.2002US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) CURRENT SOURCE AND DRAIN ARRANGEMENT FOR MAGNETORESISTIVE MEMORIES (MRAMS)
(FR) ENSEMBLE DRAIN ET SOURCE DE COURANT POUR MEMOIRES MAGNETORESISTIVES (MRAM)
Abrégé
(EN)
A memory device comprising a plurality of bit lines and a plurality of word lines forming a cross-point array. A memory cell is located at each of the cross-points in the array. A bit decoder and word decoder are coupled to the bit lines and word lines, respectively. A first series of switch circuits are coupled to and located along the adjacent bit lines resulting in the array being divided into segments along the adjacent bit lines such that a shortened programming current path is provided which results in decreased resistance across the device.
(FR)
L'invention concerne un dispositif MRAM (400) comprenant des trajets d'écriture de longueur et de résistance sensiblement uniformes pour toutes les cellules de mémoire comprises dans la matrice mémoire (411). Des circuits CVC sont agencés par rapport à la matrice mémoire (411) de façon que la longueur du trajet d'écriture sur les lignes conductrices du dispositif MRAM (400) soit sensiblement identique pour toutes les cellules de mémoire dans la matrice (411), d'où la garantie que la résistance sur le trajet d'écriture est sensiblement uniforme. Par conséquent, la quantité de courant d'écriture fourni par les circuits CVC pour une écriture sur les cellules de la matrice mémoire (411) est sensiblement identique.
Également publié en tant que
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