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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2003001217 - DETECTEUR D'ACCELERATION ET SON PROCEDE DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2003/001217
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2001/005343
Date du dépôt international 21.06.2001
CIB
B81B 7/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
BDISPOSITIFS OU SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE, p.ex. DISPOSITIFS MICROMÉCANIQUES
7Systèmes à microstructure
G01P 1/02 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
PMESURE DES VITESSES LINÉAIRES OU ANGULAIRES, DE L'ACCÉLÉRATION, DE LA DÉCÉLÉRATION OU DES CHOCS; INDICATION DE LA PRÉSENCE OU DE L'ABSENCE D'UN MOUVEMENT; INDICATION DE LA DIRECTION D'UN MOUVEMENT
1Parties constitutives des instruments
02Boîtiers
G01P 15/08 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
PMESURE DES VITESSES LINÉAIRES OU ANGULAIRES, DE L'ACCÉLÉRATION, DE LA DÉCÉLÉRATION OU DES CHOCS; INDICATION DE LA PRÉSENCE OU DE L'ABSENCE D'UN MOUVEMENT; INDICATION DE LA DIRECTION D'UN MOUVEMENT
15Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération
02en ayant recours aux forces d'inertie
08avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques
G01P 15/125 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
PMESURE DES VITESSES LINÉAIRES OU ANGULAIRES, DE L'ACCÉLÉRATION, DE LA DÉCÉLÉRATION OU DES CHOCS; INDICATION DE LA PRÉSENCE OU DE L'ABSENCE D'UN MOUVEMENT; INDICATION DE LA DIRECTION D'UN MOUVEMENT
15Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération
02en ayant recours aux forces d'inertie
08avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques
125au moyen de capteurs à capacité
CPC
B81B 7/007
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
7Microstructural systems; ; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
0032Packages or encapsulation
007Interconnections between the MEMS and external electrical signals
B81C 1/00269
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00015for manufacturing microsystems
00261Processes for packaging MEMS devices
00269Bonding of solid lids or wafers to the substrate
G01P 1/023
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
1Details of instruments
02Housings
023for acceleration measuring devices
G01P 15/0802
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
15Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
02by making use of inertia forces ; using solid seismic masses
08with conversion into electric or magnetic values
0802Details
G01P 15/125
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
15Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
02by making use of inertia forces ; using solid seismic masses
08with conversion into electric or magnetic values
125by capacitive pick-up
G01P 2015/0814
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
15Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
02by making use of inertia forces ; using solid seismic masses
08with conversion into electric or magnetic values
0805being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
0808for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate
0811for one single degree of freedom of movement of the mass
0814for translational movement of the mass, e.g. shuttle type
Déposants
  • MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku Tokyo 100-8310, JP (AllExceptUS)
  • ISHIBASHI, Kiyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • HORIKAWA, Makio [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • OKUMURA, Mika [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • ISHIBASHI, Kiyoshi; JP
  • HORIKAWA, Makio; JP
  • OKUMURA, Mika; JP
Mandataires
  • YOSHIDA, Shigeaki ; Sumitomo-seimei OBP Plaza Building 10th Floor 4-70, Shiromi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 540-0001, JP
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ACCELERATION SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF
(FR) DETECTEUR D'ACCELERATION ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
The invention provides a low−cost, small and lightweight acceleration sensor, and a method of manufacture thereof. A sensor (17) is provided on a base (11) and sealed with a cap (13) attached by eutectic welding to a frame (19) of the base (11). The cap (13) includes a cap body (13a) formed of a conductive semiconductor material, and a metal film 13 provided on the border of the cap body (13a). The frame (19) includes a frame body (19a) formed of doped polysilicon, a diffusion prevention film (19b) provided selectively on the frame body (19a), and a junction layer (19c). The junction layer (19c) includes a conductive part formed of a conductive material, and a junction part formed of a semiconductor.
(FR)
L'invention concerne un détecteur d'accélération de faible coût, de petite taille et de faible poids, ainsi que son procédé de fabrication. Un détecteur (17) est disposé sur une base (11) et enfermé hermétiquement au moyen d'un capuchon (13) fixé par soudure eutectique sur une structure (19) de cette base (11). Le capuchon (13) comprend un corps de capuchon (13a) constitué d'un matériau semi-conducteur ainsi qu'une couche métallique disposée sur la bordure de ce corps de capuchon (13a). La structure (19) comporte un corps de structure (19a) constitué de polysilicium dopé, une couche anti-diffusion (19b) disposée sélectivement sur ce corps de structure (19a), ainsi qu'une couche de jonction (19c). La couche de jonction (10c) comprend une partie conductrice constituée d'un matériau conducteur et une partie de jonction constituée d'un semi-conducteur.
Également publié en tant que
DE10196531
RU2004102800
RU2004105960
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