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Paramétrages

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1. WO2003001186 - SYSTEMES ET PROCEDES POUR UN DISPOSITIF D'INSPECTION DE PLAQUETTES UTILISANT DES ANGLES MULTIPLES ET UN ECLAIRAGE A LONGUEUR D'ONDE MULTIPLE

Numéro de publication WO/2003/001186
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/US2002/020881
Date du dépôt international 26.06.2002
CIB
G01N 21/95 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
84Systèmes spécialement adaptés à des applications particulières
88Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures
95caractérisée par le matériau ou la forme de l'objet à analyser
CPC
G01N 2021/8825
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
8806Specially adapted optical and illumination features
8822Dark field detection
8825Separate detection of dark field and bright field
G01N 21/47
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
47Scattering, i.e. diffuse reflection
G01N 21/474
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
47Scattering, i.e. diffuse reflection
4738Diffuse reflection
474Details of optical heads therefor, e.g. using optical fibres
G01N 21/8806
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
8806Specially adapted optical and illumination features
G01N 21/9501
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
95characterised by the material or shape of the object to be examined
9501Semiconductor wafers
H01L 22/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
10Measuring as part of the manufacturing process
12for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Déposants
  • KLA-TENCOR TECHNOLOGIES CORPORATION [US/US]; One Technology Drive Milpitas, CA 95035, US
Inventeurs
  • BIELLAK, Steve; US
  • STOKOWSKI, Stanley, E.; US
  • VAEZ-IRAVANI, Mehdi; US
Mandataires
  • PARSONS, Gerald, P.; Parsons Hsue & de Runtz LLP 655 Montgomery Street Suite 1800 San Francisco, CA 94111, US
Données relatives à la priorité
09/891,69326.06.2001US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SYSTEMS AND METHODS FOR A WAFER INSPECTION SYSTEM USING MULTIPLE ANGLES AND MULTIPLE WAVELENGTH ILLUMINATION
(FR) SYSTEMES ET PROCEDES POUR UN DISPOSITIF D'INSPECTION DE PLAQUETTES UTILISANT DES ANGLES MULTIPLES ET UN ECLAIRAGE A LONGUEUR D'ONDE MULTIPLE
Abrégé
(EN)
A method for detecting an anomaly on a top surface (426) of a substrate (428) comprises directing a first radiation beam (414) having a first wavelength at the top surface (426) of the substrate (428) at a first angle measured from the normal, and directing a second radiation beam (418) having a second wavelength at the top surface (426) of the substrate (428) at a second angle measured from the normal, wherein the second wavelength is not equal to the first wavelength. The method then comprises detecting scattered radiation from the first radiation beam (414) and the second radiation beam (418) to detect the presence of particles or COPs, and to differentiate between the two. Differences in the scattered radiation detected from the first radiation beam (414) and from the second radiation beam (418) provide the data needed to differentiate between particles and COPs.
(FR)
L'invention concerne un procédé permettant de détecter une anomalie sur la surface supérieure (426) d'un substrat (428), qui consiste à diriger un premier faisceau de rayonnement (414) ayant une première longueur d'onde à la surface supérieure (426) du substrat (428) selon un premier angle mesuré à partir de la normale, et à diriger un second faisceau de rayonnement (418) ayant une seconde longueur d'onde à la surface supérieure (426) du substrat (428) selon un second angle mesuré à partir de la normale, la seconde longueur d'onde n'étant pas égale à la première longueur d'onde. Le procédé consiste ensuite à détecter un rayonnement diffusé à partir du premier faisceau de rayonnement (414) et du second faisceau de rayonnement (418) pour détecter la présence de particules ou de particules d'origine cristalline, COP, et pour les différencier. Les différences au niveau du rayonnement diffusé détecté à partir du premier faisceau de rayonnement (414) et du second faisceau de rayonnement (418) fournissent les données nécessaires pour différencier entre les particules et les COP.
Également publié en tant que
RU2004102392
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