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Paramétrages

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1. WO2003000965 - PROCEDE DE SYNTHESE DE NANOWHISKERS 3C-SIC ET NANOWHISKERS 3C-SIC

Numéro de publication WO/2003/000965
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006236
Date du dépôt international 21.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 30.09.2002
CIB
C01B 31/36 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
31Carbone; Ses composés
30Carbures
36Carbures de silicium ou de bore
C30B 11/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger
C30B 25/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
C30B 25/10 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
02Croissance d'une couche épitaxiale
10Chauffage de l'enceinte de réaction ou du substrat
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
C01B 32/956
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
32Carbon; Compounds thereof
90Carbides
914Carbides of single elements
956Silicon carbide
C01B 32/984
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
32Carbon; Compounds thereof
90Carbides
914Carbides of single elements
956Silicon carbide
963Preparation from compounds containing silicon
984Preparation from elemental silicon
C01P 2002/72
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
70defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
72by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
C01P 2002/80
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
80defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
C01P 2004/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2004Particle morphology
01depicted by an image
04obtained by TEM, STEM, STM or AFM
Déposants
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 4-1-8, Hon-cho Kawaguchi-shi, Saitama 332-0012, JP (AT, BE, CH, CN, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, KR, LU, MC, NL, PT, SE, SG, TR)
  • NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE [JP/JP]; 1-2-1, Sengen Tsukuba-shi, Ibaraki 305-0047, JP (AT, BE, CH, CN, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, KR, LU, MC, NL, PT, SE, SG, TR)
  • ANDO, Toshihiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • GAMO, Mika [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • ZHANG, Yafei [CN/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • ANDO, Toshihiro; JP
  • GAMO, Mika; JP
  • ZHANG, Yafei; JP
Mandataires
  • HIRAYAMA, Kazuyuki; 6th Floor, Shinjukugyoen Bldg., 2-3-10, Shinjuku Shinjuku-ku, Tokyo 160-0022, JP
Données relatives à la priorité
2001-19122625.06.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) 3C−SIC NANOWHISKER SYNTHESIZING METHOD AND 3C−SIC NANOWHISKER
(FR) PROCEDE DE SYNTHESE DE NANOWHISKERS 3C-SIC ET NANOWHISKERS 3C-SIC
Abrégé
(EN)
A 3C−SiC nanowhisker synthesizing method for producing a 3C−SiC nanowhisker having controlled diameter and length on an Si substrate safely at low cost and 3C−SiC nanowhiskers having different wavelengths of emitted visible light are disclosed. A thin film (2) of a metal element is deposited on an Si substrate (1), the Si substrate (1) is placed in a plasma produced from hydrogen and a hydrogen carbide at a predetermined substrate temperature for a certain time in a plasma CVD apparatus to form 3C−SiC nanowhiskers. Si atoms in the Si substrate (1) and C atoms in the plasma dissolve in metal liquid particles (3) to a supersaturated concentration, 3C−SiC nanowhiskers (4) are grown on the metal liquid particles (3). The surface of the 3C−SiC nanowhiskers is ended with H atoms to maintain the diameters at certain value. The metal liquid particles (3) at the roots of the 3C−SiC nanowhiskers absorb Si atoms in the Si substrate (1) and penetrate into the Si substrate (1). Such 3C−SiC nanowhiskers can be used as an emitting material matching the Si process. When a 3C−SiC nanowhisker device capable of emitting light because of the quantum confining effect and an Si device are mounted together, a very useful device is produced.
(FR)
L'invention concerne un procédé de synthèse de nanowhiskers 3C-SiC permettant de produire un nanowhisker 3C-SiC présentant un diamètre et une longueur commandés sur un substrat Si, de manière sûre et bon marché, ainsi que des nanowhiskers 3C-SiC possédant plusieurs longueurs d'ondes de rayonnement visible émis. Un film mince (2) d'un élément métallique est déposé sur un substrat Si (1) qui est placé dans un plasma produit à partir d'hydrogène et d'un carbure d'hydrogène à une température de substrat prédéterminée pendant une certaine durée dans un appareil à plasma CVD, de manière à former des nanowhiskers 3C-SiC. Des atomes Si dans le substrat Si (1) et des atomes C dans le plasma se dissolvent dans les particules liquides métalliques (3) en une concentration supersaturée, des nanowhiskers 3C-SiC (4) étant développés sur les particules liquides métalliques. La surface des nanowhiskers 3C-SiC présente au niveau de son extrémité des atomes H permettant de conserver les diamètres à une certaine valeur. Les particules liquides métalliques (3) au niveau des racines des nanowhiskers 3C-SiC absorbent des atomes Si dans le substrat Si (1) et pénètrent dans le substrat Si (1). De tels nanowhiskers 3C-SiC peuvent être utilisés comme matériau d'émission correspondant au processus Si. Le montage d'un dispositif à nanowhiskers 3C-SiC capable d'émettre un rayonnement en raison de l'effet de confinement des quanta avec un dispositif Si permet d'obtenir un dispositif très utile.
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