Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2003000962 - SUBSTRAT DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, TRANCHE EPITAXIALE, ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2003/000962
Date de publication 03.01.2003
N° de la demande internationale PCT/JP2002/006101
Date du dépôt international 19.06.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 27.09.2002
CIB
C30B 15/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
CPC
C30B 15/203
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
20Controlling or regulating
203the relationship of pull rate (v) to axial thermal gradient (G)
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
Déposants
  • SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005, JP (AllExceptUS)
  • IIDA, Makoto [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • IIDA, Makoto; JP
Mandataires
  • YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F 6-4, Motoasakusa 2-chome Taito-ku, Tokyo 111-0041, JP
Données relatives à la priorité
2001-19091525.06.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, EPITAXIAL WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEM
(FR) SUBSTRAT DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, TRANCHE EPITAXIALE, ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
A silicon single crystal substrate is used as a substrate of an epitaxial wafer. The silicon single crystal substrate for an epitaxial wafer is characterized in that the substrate is a single crystal doped with nitrogen and heavily doped with boron, and grown under the condition that the V/G value (where V is the pulling speed, and G is the crystal temperature gradient) lies between the lower limit in the small dislocation region in the OSF ring region and the upper limit in the I−rich region. An epitaxial wafer having an epitaxial layer formed thereon is also disclosed. No crystal defect is present in the epitaxial surface of a p/p+−EP wafer having an epitaxial layer formed on a p+ substrate heavily heavily doped with boron and doped with nitrogen. As a result, an epitaxial wafer high in guttering ability, quality, and function is provided, and a method for manufacturing the same is provided.
(FR)
La présente invention concerne un substrat de silicium monocristallin utilisé en tant que substrat d'une tranche épitaxiale. Le substrat de silicium monocristallin pour une tranche épitaxiale est caractérisé en ce que le substrat est un monocristal dopé à l'azote et fortement dopé au bore, et dont la croissance s'effectue dans des conditions telles que la valeur V/G (où V représente la vitesse de tirage, et G représente le gradient de température du cristal) est comprise entre la limite inférieure dans la zone de petite dislocation dans la région du cycle OSF et la limite supérieure dans région riche en I. L'invention concerne également une tranche épitaxiale comportant une couche épitaxiale formée à sa surface. Il n'y a aucun défaut de cristal dans la surface épitaxiale d'une tranche p/p+-EP comportant une couche épitaxiale formée sur un substrat p+ fortement dopé au bore et dopé à l'azote. Ainsi, on obtient une tranche épitaxiale de capacité, de qualité et de fonction de drain. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'une telle tranche.
Également publié en tant que
RU2003134369
RU2004103744
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international