US2002012062 SYSTEME DE LASER A DECHARGE GAZEUSE A QUATRE KHZ

1. (WO2002093699) SYSTEME DE LASER A DECHARGE GAZEUSE A QUATRE KHZ

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Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication :		WO/2002/093699		N° de la demande internationale :		PCT/US2002/012062
Date de publication :		21.11.2002		Date de dépôt international :		15.04.2002

CIB :

G03F 7/20 (2006.01), H01S 3/00 (2006.01), H01S 3/036 (2006.01), H01S 3/038 (2006.01), H01S 3/041 (2006.01), H01S 3/0975 (2006.01), H01S 3/134 (2006.01), H01S 3/139 (2006.01), H01S 3/225 (2006.01), H01S 3/23 (2006.01)

Déposants :

CYMER, INC. [US/US]; (a Nevada corporation) 16750 Via Del Campo Court San Diego, CA 92127-1712 (US) (Tous Sauf US).
WITTAK, Christian, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
PARTLO, William, N. [US/US]; (US) (US Seulement).
SANDSTROM, Richard, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
MELCHER, Paul, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
JOHNS, David, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
SAETHRE, Robert, B. [US/US]; (US) (US Seulement).
NESS, Richard, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
RETTIG, Curtis, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
SHANNON, Robert, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
UJAZDOWSKI, Richard, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
ROKNI, Shahryar [US/US]; (US) (US Seulement).
SMITH, Scott [US/US]; (US) (US Seulement).
ANDERSON, Stuart, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
ALGOTS, John, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
SPANGLER, Ronald, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
FOMENKOV, Igor [US/US]; (US) (US Seulement).
STEIGER, Thomas, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
EMILO, Jerome, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
TITUS, Clay, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
IVASCHENKO, Alex, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
ZAMBON, Paolo [IT/US]; (US) (US Seulement).
PADMABANDU, Gamaralalage, G. [LK/US]; (US) (US Seulement).
BRANHAM, Mark, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
PHATAK, Sanjay [US/US]; (US) (US Seulement).
CYBULSKI, Raymond [US/US]; (US) (US Seulement)

Inventeurs :

WITTAK, Christian, J.; (US).
PARTLO, William, N.; (US).
SANDSTROM, Richard, L.; (US).
MELCHER, Paul, C.; (US).
JOHNS, David, M.; (US).
SAETHRE, Robert, B.; (US).
NESS, Richard, M.; (US).
RETTIG, Curtis, L.; (US).
SHANNON, Robert, A.; (US).
UJAZDOWSKI, Richard, C.; (US).
ROKNI, Shahryar; (US).
SMITH, Scott; (US).
ANDERSON, Stuart, L.; (US).
ALGOTS, John, M.; (US).
SPANGLER, Ronald, L.; (US).
FOMENKOV, Igor; (US).
STEIGER, Thomas, D.; (US).
EMILO, Jerome, A.; (US).
TITUS, Clay, C.; (US).
IVASCHENKO, Alex, P.; (US).
ZAMBON, Paolo; (US).
PADMABANDU, Gamaralalage, G.; (US).
BRANHAM, Mark, S.; (US).
PHATAK, Sanjay; (US).
CYBULSKI, Raymond; (US)

Mandataire :

ROSS, John, R.; Cymer, Inc. Legal Department-MS/1-2A 16750 Via Del Campo Court San Diego, CA 92127-1712 (US)

Données relatives à la priorité :

09/854,097	11.05.2001	US
09/943,343	29.08.2001	US
10/029,319	17.10.2001	US
10/000,991	14.11.2001	US
10/012,002	30.11.2001	US
10/036,676	21.12.2001	US

Titre

(EN) FOUR KHz GAS DISCHARGE LASER SYSTEM
(FR) SYSTEME DE LASER A DECHARGE GAZEUSE A QUATRE KHZ

Abrégé :

(EN)The present invention provides an excimer laser capable of producing a high quality pulsed laser beam at pulse rates of about 4,000 Hz at pulse energies of about 5mJ or greater. A preferred embodiment is an ArF excimer laser specifically designed as a light source for integrated circuit lithography. An improved wavemeter (4K) with special software monitors output beam parameters and controls a very fast PZT driven tuning mirror, which is in a line narrowing module (15K) and the pulse power charging voltage to maintain wavelength and pulse energy within desired limits. In a preferred embodiment two fan motors (16K and 17K) drive a single tangential fan which provides sufficient gas flow to clear discharge debris from the the discharge region during the approximately 0.25 milliseconds between pulses.
(FR)La présente invention concerne un laser à excimères capable de produire un faisceau laser à impulsions de haute qualité à des taux d'impulsion d'environ 4'000 Hz et à des énergies d'impulsion supérieures ou égales à 5 mJ environ. Un mode de réalisation préféré de l'invention concerne un laser à excimères au fluorure d'argon conçu spécialement sous forme de source de lumière pour la lithographie de circuits intégrés. Un ondemètre amélioré (4K) équipé d'un logiciel spécial permet de contrôler des paramètres de sortie du faisceau et de commander un miroir de réglage à entraînement piézo-électrique très rapide qui est dans un module de rétrécissement de ligne (15K), ainsi que la tension de charge de la puissance d'impulsion, afin de maintenir la longueur d'onde et l'énergie d'impulsion dans les limites souhaitées. Dans un mode de réalisation préféré, deux moteurs de ventilateur (16K, 17K) entraînent un seul ventilateur tangentiel fournissant un courant gazeux suffisant pour éliminer les débris de décharge de la région de décharge pendant les 0,25 millisecondes environ qui séparent chaque impulsion.

États désignés :

AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).

Langue de publication :	anglais (EN)
Langue de dépôt :	anglais (EN)

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