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1. (WO2002093632) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCEDE POUR NETTOYER CE DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/093632    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/004740
Date de publication : 21.11.2002 Date de dépôt international : 16.05.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.01.2003    
CIB :
C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/509 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 8-1, Yotsuya, 5-chome, Fuchu-shi, Tokyo 183-8508 (JP) (Tous Sauf US).
SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 5-5, Keihanhondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 570-8677, Japan (JP) (Tous Sauf US).
RENESAS THECHNOLOGY CORP. [JP/JP]; 4-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-6334 (JP) (Tous Sauf US).
MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO. LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 571-8501 (JP) (Tous Sauf US).
ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 253-8543 (JP) (Tous Sauf US).
HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 14-20, Higasahi-Nakano 3-chome, Nakano-ku, Tokyo 164-8511 (JP) (Tous Sauf US).
TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Mitato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
KANTO DENKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 2-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (Tous Sauf US).
NUMASAWA, Yoichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WATABE, Yoshimi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NUMASAWA, Yoichiro; (JP).
WATABE, Yoshimi; (JP)
Mandataire : TAMIYA, Hiroshi; Meisan Tameike Bldg. 8th Fl., 1-12, Akasaka 1-chome, Minato-ku, Tokyo 107-0052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-148327 17.05.2001 JP
Titre (EN) PLASMA PROCESSING DEVICE, AND METHOD OF CLEANING THE SAME
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCEDE POUR NETTOYER CE DISPOSITIF
Abrégé : front page image
(EN)This plasma processing device comprises an upper electrode (13) and a lower electrode (14) that are disposed in a reaction vessel (11), the first electrode having a VHF band high frequency wave fed from a VHF band high frequency power source (32), the lower electrode having mounted thereon a base plate (12) and driven by a vertical drive mechanism (35). The plasma processing device has a control section (36) that, during the cleaning step for cleaning after film formation on a base plate (12), causes the vertical movement mechanism to move the lower electrode to reduce the clearance between the upper and lower electrodes to define a narrowed space and that, in this narrowed space, starts cleaning with plasma of predetermined high density. In the cleaning step, step cleaning is effected. This increases the efficiency of utilization of cleaning gas to reduce the amount of discharge gas and increase the cleaning rate. Further, the amount of use of process gas is reduced to reduce the process cost.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de traitement au plasma comprenant une électrode supérieure (13) et une électrode inférieure (14), qui sont placées dans une enceinte de réaction (11). La première électrode présente une onde haute fréquence à bande VHF alimentée par une source de puissance haute fréquence à bande VHF (32). Une plaque de base (12) est montée sur l'électrode inférieure qui est entraînée par un mécanisme d'entraînement vertical (35). Le dispositif de traitement au plasma selon cette invention présente une partie de commande (36), qui, au cours de l'étape de nettoyage permettant de nettoyer après formation d'un film sur la plaque de base (12), permet au mécanisme de déplacement vertical de déplacer l'électrode inférieure, afin de réduire l'intervalle entre l'électrode supérieure et l'électrode inférieure, de manière à définir un espace rétréci, et qui, dans cet espace rétréci, initie le nettoyage avec du plasma de haute densité prédéfinie. Un nettoyage échelonné est réalisé au cours de cette étape de nettoyage. Cette invention permet d'améliorer l'efficacité d'utilisation de gaz de nettoyage, afin de réduire la quantité de gaz évacué et d'augmenter la vitesse de nettoyage. La quantité de gaz de nettoyage utilisée est également réduite, ce qui permet de réduire le coût du processus.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)