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1. (WO2002093627) PROCEDE DE DEPOT DE SILICIUM DOPE DANS UNE CHAMBRE DE PLAQUETTE UNIQUE A CHAUFFAGE RESISTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/093627    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/014949
Date de publication : 21.11.2002 Date de dépôt international : 09.05.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.12.2002    
CIB :
C23C 16/24 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/458 (2006.01), C23C 16/46 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450A, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventeurs : WANG, Shulin; (US).
LUO, Lee; (US).
CHEN, Steven, A.; (US).
SANCHEZ, Errol; (US).
TAO, Xianzhi; (US).
DRAGOJLOVIC, Zoran; (US).
FU, Li; (US)
Mandataire : BERNADICOU, Michael, A.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 7th Floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
09/858,821 15.05.2001 US
Titre (EN) DOPED SILICON DEPOSITION PROCESS IN RESISTIVELY HEATED SINGLE WAFER CHAMBER
(FR) PROCEDE DE DEPOT DE SILICIUM DOPE DANS UNE CHAMBRE DE PLAQUETTE UNIQUE A CHAUFFAGE RESISTIF
Abrégé : front page image
(EN)A method for depositing doped polycrystalline or amorphous silicon film. The method includes placing a substrate onto a susceptor. The susceptor includes a body having a resistive heater therein and a thermocouple in physical contact with the resistive heater. The susceptor is located in the process chamber such that the process chamber has a top portion above the susceptor and a bottom portion below the susceptor. The method further includes heating the susceptor. The method further includes providing a process gas mix into the process chamber through a shower head located on the susceptor. The process gas mix includes a silicon source gas, a dopant gas, and a carrier gas. The carrier gas includes nitrogen.
(FR)L'invention concerne un procédé de dépôt de film de silicium polycristallin ou amorphe dopé, qui consiste à placer un susbstrat sur un suscepteur comprenant un corps équipé d'un système chauffant résistif et d'un thermocouple en contact avec ce système. Le suscepteur est situé dans la chambre de traitement, de manière à ménager une partie supérieure au-dessus du suscepteur et une partie inférieure au-dessous du suscepteur. On chauffe ensuite le suscepteur. Enfin, un mélange de gaz de traitement est injecté dans la chambre de traitement à travers une pomme d'arrosoir placée sur le suscepteur. Le mélange gazeux comprend un gaz source au silicium, un gaz dopant et un gaz vecteur à base d'azote.
États désignés : CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)