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1. (WO2002091463) PROCEDE SEMI-CONDUCTEUR ET CIRCUIT INTEGRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/091463    N° de la demande internationale :    PCT/SE2002/000838
Date de publication : 14.11.2002 Date de dépôt international : 29.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.11.2002    
CIB :
H01L 21/8249 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; P.O. Box 800949, 81609 München (DE) (Tous Sauf US).
JOHANSSON, Ted [SE/SE]; (SE) (US Seulement).
NORSTRÖM, Hans [SE/SE]; (SE) (US Seulement).
ALGOTSSON, Patrik [SE/SE]; (SE) (US Seulement)
Inventeurs : JOHANSSON, Ted; (SE).
NORSTRÖM, Hans; (SE).
ALGOTSSON, Patrik; (SE)
Mandataire : FRITZON, Rolf; Kransell & Wennborg AB, Box 27834, S-115 93 Stockholm (SE)
Données relatives à la priorité :
0101567-6 04.05.2001 SE
0103036-0 13.09.2001 SE
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PROCESS AND INTEGRATED CIRCUIT
(FR) PROCEDE SEMI-CONDUCTEUR ET CIRCUIT INTEGRE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention refers to an IC fabrication method comprising: providing a substrate (10, 41); forming an active region (41) for a bipolar transistor and an active region (41) for a MOS device in the substrate (10); forming isolation areas (81) around, in a horizontal plane, the active regions; forming a MOS gate region (111, 112) on the active region for the MOS device; forming a layer (141) of an insulating material on the MOS gate region and on the active region (31) for the transistor; and defining a base region in the active region for the transistor by producing an opening (143) in the insulating layer (141) such that the remaining portions of the insulating layer (141) partly cover the active region for the bipolar transistor. The insulating layer (141) remains on the MOS gate region to encapsulate and protect the MOS gate region during subsequent manufacturing steps.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un circuit intégré consistant à préparer un substrat (10, 41), à former une région active (41) pour un transistor bipolaire et une région active (41) pour un dispositif MOS dans ce substrat (10), à former des zones d'isolation (81) autour de ces régions actives dans un plan horizontal, à former une région porte MOS (111, 112) sur la région active du dispositif MOS, à former une couche (141) d'un matériau isolant sur la région porte MOS et sur la région active (31) du transistor et à définir une région de base dans la région active du transistor en créant une ouverture (143) dans la couche isolante (141), de sorte que les parties restantes de cette couche isolante (141) recouvrent partiellement la région active du transistor bipolaire. Cette couche isolante (141) repose sur la région porte MOS de manière à l'encapsuler et à la protéger lors des étapes de fabrication suivantes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)