WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002091421) APPAREIL A FAISCEAU D'ELECTRONS ET SON UTILISATION POUR LA FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/091421    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/004327
Date de publication : 14.11.2002 Date de dépôt international : 30.04.2002
CIB :
B01J 35/00 (2006.01), B01J 35/04 (2006.01), B01J 35/10 (2006.01), F01N 3/28 (2006.01), H01J 37/06 (2006.01), H01J 37/28 (2006.01)
Déposants : NIKON CORPORATION [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-8331 (JP) (Tous Sauf US).
EBARA CORPORATION [JP/JP]; 11-1, Haneda Asahi-cho Ohta-ku, Tokyo 144-8510 (JP) (Tous Sauf US).
HAMASHIMA, Muneki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KATO, Takao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKASUJI, Mamoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NOJI, Nobuharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATAKE, Tohru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HAMASHIMA, Muneki; (JP).
KATO, Takao; (JP).
NAKASUJI, Mamoru; (JP).
NOJI, Nobuharu; (JP).
SATAKE, Tohru; (JP)
Mandataire : SHAMOTO, Ichio; YUASA AND HARA Section 206, New Ohtemachi Bldg. 2-1, Ohtemachi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-133925 01.05.2001 JP
2001-146792 16.05.2001 JP
2001-153711 23.05.2001 JP
Titre (EN) ELECTRON BEAM APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD USING THE ELECTRON BEAM APPARATUS
(FR) APPAREIL A FAISCEAU D'ELECTRONS ET SON UTILISATION POUR LA FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The influence of the aberration of the optical system is suppressed, the shot noise of a multiemitter is reduced, and the Wehnelt electrode is simply and precisely aligned. Primary electron beams produced by irradiating a first aperture plate (204) are directed to a sample (209). Secondary electrons emitted from the sample are separated from a primary optical system and received by sensing means (215). A second aperture plate (214) is disposed in front of the sensing means to prevent entrance of secondary electrons of different groups. In another working example, the multiemitter hot−cathode is fabricated by mirror−finishing a work for the multiemitter hot−cathode and machining the work by electrical discharge. In further another working example, the position of the Wehnelt electrode is finely adjusted with respect to the multiemitter by a screw thread.
(FR)Cette invention permet de supprimer l'influence des aberrations d'un système optique, de réduire les bruits de tir d'un multi-émetteur et d'aligner facilement et avec précision l'électrode Wehnelt. Les faisceaux d'électrons primaires produits par l'irradiation d'une première plaque avec fenêtre (204) sont dirigés sur un échantillon (209). Des électrons secondaires émis depuis l'échantillon sont séparés d'un système optique primaire et reçus par un dispositif détecteur (215). Une seconde plaque avec fenêtre (214) disposée en avant du dispositif détecteur empêche l'entrée d'électrons de groupes différents. Selon un autre exemple pratique, la cathode chaude du multi-émetteur est superfinie et usiné par décharge électrique. Dans un autre exemple concret, la position de l'électrode Wehnelt est ajustée avec précision par rapport au mutli-émetteur au moyen d'une vis.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (DE, FR, GB, NL).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)