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1. (WO2002091385) CELLULE DE MEMOIRE MOLECULAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/091385    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/014238
Date de publication : 14.11.2002 Date de dépôt international : 07.05.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    03.12.2002    
CIB :
G11C 13/02 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3435 (US)
Inventeurs : KRIEGER, Juri, H.; (US).
YUDANOV, Nikolay, F.; (US)
Mandataire : AMIN, Himanshu, S.; Amin & Turocy, LLP, 24th Floor, National City Center, 1900 East 9th Street, Cleveland, OH 44114 (US)
Données relatives à la priorité :
60/289,060 07.05.2001 US
60/289,058 07.05.2001 US
Titre (EN) MOLECULAR MEMORY CELL
(FR) CELLULE DE MEMOIRE MOLECULAIRE
Abrégé : front page image
(EN)A memory cell is provided with a pair of electrodes, and an active layer sandwiched between the electrodes and including a molecular system and ionic complexes distributed in the molecular system. The active layer having a high-impedance state and a low-impedance state switches from the high-impedance state to the low-impedance state when an amplitude of a writing signal exceeds a writing threshold level, to enable writing information into the memory cell. The active layer switches from the low-impedance state to the high-impedance state when an amplitude of an erasing signal having opposite polarity with respect to the writing signal exceeds an erasing threshold level, to enable erasing information from the memory cell.
(FR)L'invention se rapporte à une cellule de mémoire présentant une paire d'électrodes et une couche active venant entre les électrodes et présentant un système moléculaire et des complexes ioniques distribués dans le système moléculaire. La couche active présentant un état de forte impédance et un état de faible impédance passe de l'état de forte impédance à l'état de faible impédance lorsque l'amplitude d'un signal d'écriture dépasse un niveau seuil d'écriture, et ce afin d'écrire les informations dans la cellule de mémoire. En revanche, la couche active passe de l'état de faible impédance à l'état de forte impédance lorsque l'amplitude d'un signal d'effacement ayant une polarité opposée par rapport au signal d'écriture dépasse un niveau seuil d'effacement, et ce afin d'effacer les informations contenues dans la cellule de mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)