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1. WO2002089192 - PROCEDE DE GRAVURE HUMIDE DANS UNE COUCHE ANTIREFLET INORGANIQUE

Numéro de publication WO/2002/089192
Date de publication 07.11.2002
N° de la demande internationale PCT/IB2002/001411
Date du dépôt international 18.04.2002
CIB
C09K 13/08 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
KSUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
13Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage
04contenant un acide inorganique
08contenant un composé du fluor
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
H01L 21/311 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105Post-traitement
311Gravure des couches isolantes
CPC
C09K 13/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
13Etching, surface-brightening or pickling compositions
04containing an inorganic acid
08containing a fluorine compound
H01L 21/0276
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
0271comprising organic layers
0273characterised by the treatment of photoresist layers
0274Photolithographic processes
0276using an anti-reflective coating
H01L 21/31111
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
311Etching the insulating layers ; by chemical or physical means
31105Etching inorganic layers
31111by chemical means
H01L 21/67075
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67063for etching
67075for wet etching
H01L 21/67086
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67063for etching
67075for wet etching
67086with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Déposants
  • KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL]/[NL] (AllExceptUS)
  • KNOTTER, Dirk, M. [NL]/[NL] (UsOnly)
  • VAN WINGERDEN, Johannes [NL]/[NL] (UsOnly)
  • ROVERS, Madelon, G., J. [NL]/[NL] (UsOnly)
Inventeurs
  • KNOTTER, Dirk, M.
  • VAN WINGERDEN, Johannes
  • ROVERS, Madelon, G., J.
Mandataires
  • DUIJVESTIJN, Adrianus, J.
Données relatives à la priorité
01201595.427.04.2001EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF WET ETCHING AN INORGANIC ANTIREFLECTION LAYER
(FR) PROCEDE DE GRAVURE HUMIDE DANS UNE COUCHE ANTIREFLET INORGANIQUE
Abrégé
(EN)
The invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the provision of a substrate (1) with a layer of silicon (3) thereon, an inorganic anti-reflective layer (4) applied to the layer of silicon (3), and a resist mask (6) applied to the inorganic anti-reflective layer (4), which method comprises the steps of, patterning the inorganic anti-reflective layer (4) by means of the resist mask (6), patterning the layer of silicon (3), removing the resist mask (6), and removing the inorganic anti-reflective layer (4) by means of etching with an aqueous solution comprising hydrofluoric acid in a low concentration, which aqueous solution is applied at a high temperature.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs. Ce procédé consiste à prévoir un substrat (1) avec une couche de silicium sur ce dernier, une couche antireflet (4) appliquée à la couche de silicium (3) et un masque de résist (6) appliqué sur la couche antireflet inorganique (4). Ce procédé consiste à former des motifs sur la couche antireflet inorganique (4) au moyen du masque de résist (6), former des motifs sur la couche de silicium (3), retirer le masque de résist (6) et retirer la couche antireflet inorganique (4) au moyen de la gravure avec une solution aqueuse comprenant de l'acide fluorhydrique en faible concentration, laquelle solution aqueuse est appliquée à une température élevée.
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