(EN) The invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, comprising the provision of a substrate (1) with a layer of silicon (3) thereon, an inorganic anti-reflective layer (4) applied to the layer of silicon (3), and a resist mask (6) applied to the inorganic anti-reflective layer (4), which method comprises the steps of, patterning the inorganic anti-reflective layer (4) by means of the resist mask (6), patterning the layer of silicon (3), removing the resist mask (6), and removing the inorganic anti-reflective layer (4) by means of etching with an aqueous solution comprising hydrofluoric acid in a low concentration, which aqueous solution is applied at a high temperature.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs. Ce procédé consiste à prévoir un substrat (1) avec une couche de silicium sur ce dernier, une couche antireflet (4) appliquée à la couche de silicium (3) et un masque de résist (6) appliqué sur la couche antireflet inorganique (4). Ce procédé consiste à former des motifs sur la couche antireflet inorganique (4) au moyen du masque de résist (6), former des motifs sur la couche de silicium (3), retirer le masque de résist (6) et retirer la couche antireflet inorganique (4) au moyen de la gravure avec une solution aqueuse comprenant de l'acide fluorhydrique en faible concentration, laquelle solution aqueuse est appliquée à une température élevée.