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1. (WO2002086957) PROCEDE DE GRAVURE A SEC
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/086957    N° de la demande internationale :    PCT/JP2002/001785
Date de publication : 31.10.2002 Date de dépôt international : 27.02.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.11.2002    
CIB :
H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
KOH, Meiki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIURA, Toshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKASAWA, Takayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIMIZU, Akitaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUSHIBIKI, Masato [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMASHITA, Asao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIGUCHI, Fumihiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOH, Meiki; (JP).
MIURA, Toshihiro; (JP).
FUKASAWA, Takayuki; (JP).
SHIMIZU, Akitaka; (JP).
KUSHIBIKI, Masato; (JP).
YAMASHITA, Asao; (JP).
HIGUCHI, Fumihiko; (JP)
Mandataire : SUYAMA, Saichi; Kanda Higashiyama Bldg., 1, Kandata-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0046 (JP)
Données relatives à la priorité :
2001-121794 19.04.2001 JP
2001-124731 23.04.2001 JP
2001-364621 29.11.2001 JP
Titre (EN) DRY ETCHING METHOD
(FR) PROCEDE DE GRAVURE A SEC
Abrégé : front page image
(EN)A tungsten silicide layer (104) is etched by plasma etching using Cl¿2?+O¿2? gas as etching gas. When etching of the tungsten silicide layer (104) is ended substantially, etching gas is switched to Cl¿2?+O¿2?+NF¿3? and over etching is performed by plasma etching. Etching process is ended under a state where a polysilicon layer (103) formed beneath the tungsten silicide layer (104) is slightly etched uniformly. Residual quantity of the polysilicon layer (103) can be made uniform as compared with prior art and a high quality semiconductor device can be fabricated stably.
(FR)Une couche de siliciure de tungstène (104) est soumise à une gravure au plasma au moyen du gaz¿ ?Cl¿2?+O¿2? utilisé en tant que gaz de gravure. Lorsque la gravure de la couche de siliciure de tungstène (104) est pratiquement terminée, le gaz de gravure devient Cl¿2?+O¿2?+NF¿3? et une surgravure est effectuée par gravure au plasma. Le processus de gravure se termine lorsqu'il atteint un état dans lequel la couche de silicium polycristallin (103) formée sous la couche de siliciure de tungstène (104) est sensiblement gravée de manière uniforme. La quantité résiduelle de la couche de silicium polycristallin (103) peut être rendue uniforme comparée à ce qu'elle est dans les processus conformes à l'état antérieur de la technique et il est possible de fabriquer de manière stable un dispositif semiconducteur de grande qualité.
États désignés : CN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)