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1. (WO2002084729) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE COUCHE SEMICONDUCTRIQUE DE CHALCOGENURE DU TYPE ABC¿2? AVEC CONTROLE OPTIQUE DE PROCESSUS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/084729    N° de la demande internationale :    PCT/DE2002/001342
Date de publication : 24.10.2002 Date de dépôt international : 04.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.11.2002    
CIB :
C23C 14/06 (2006.01), C23C 16/52 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01), C30B 25/10 (2006.01), G01R 31/26 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/06 (2006.01), H01L 21/16 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/461 (2006.01), H01L 21/477 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01), H01L 31/0296 (2006.01), H01L 31/032 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01)
Déposants : HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH [DE/DE]; Glienicker Strasse 100, 14109 Berlin (DE) (Tous Sauf US).
SCHEER, Roland [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
PIETZKER, Christian [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : SCHEER, Roland; (DE).
PIETZKER, Christian; (DE)
Données relatives à la priorité :
101 19 463.3 12.04.2001 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER CHALKOGENID-HALBLEITERSCHICHT DES TYPS ABC¿2? MIT OPTISCHER PROZESSKONTROLLE
(EN) METHOD FOR PRODUCING A CHALCOGENIDE-SEMICONDUCTOR LAYER OF THE ABC¿2? TYPE WITH OPTICAL PROCESS MONITORING
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE COUCHE SEMICONDUCTRIQUE DE CHALCOGENURE DU TYPE ABC¿2? AVEC CONTROLE OPTIQUE DE PROCESSUS
Abrégé : front page image
(DE)Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Kontrolle des Chalkogenisierungsprozesses anzugeben und dadurGh eine Steuerung dieses Prozesses und die Bestimmung seines Endpunktes zu ermöglichen. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren, bei dem während der Herstellung die entstehende Schicht mit Licht bestrahlt, das reflektierte Licht detektiert und das in Abhängigkeit von der Zeit aufgenommene Lichtsignal charakteristischen Punkten der Schichtherstellung zugeordnet wird, erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass die Chalkogenid-Halbleiterschicht hergestellt wird, indem zunächst nacheinander die beiden metallischen Precursorschichten aus den Elementen A und B aufgebracht werden und anschliessend ein Chalkogenisierungsprozess mit gleichzeitiger optischer Prozesskontrolle durchgeführt wird, bei der die Schichtenfolge A B mit Licht mindestens einer kohärenten Lichtquelle bestrahlt, das an der Oberfläche diffus gestreute Licht detektiert und das in Abhängigkeit von der Zeit gemessene Streulichtsignal derart ausgewertet wird, dass vier signifikanten Punkten der Streulichtsignalkurve charakteristi sche Änderungen in der enstehenden Schicht während der Chakogenisierung zugeordnet werden.
(EN)The aim of the invention is to provide a method for monitoring the chalcogenation process and, in doing so, to enable this process to be controlled and the determination of its end point. To this end, a method is used in which, during production, the resulting layer is irradiated with light, the reflected light is detected, and the light signal recorded according to time is assigned to characteristic points of the layer production. According to the method, the chalcogenide semiconductor layer is produced by firstly applying, in succession, both metallic precursor layers consisting of elements A and B, and a chalcogenation process with simultaneous optical process monitoring is subsequently carried out during which the series of layers A B is irradiated with light of at least one coherent light source. The light diffusely scattered on the surface is detected, and the scattered light signal measured according to time is evaluated whereby characteristic changes in the resulting layer during chalcogenation are assigned to four significant points of the scattered light curve.
(FR)L'objectif de cette invention est de fournir un procédé de surveillance du processus de chalcogénisation et, ainsi, de permettre une commande de ce processus et la détermination de son point terminal. A cet effet, on utilise un procédé selon lequel, pendant la production, la couche produite est irradiée de lumière ; la lumière réfléchie est détectée et le signal lumineux enregistré en fonction du temps est affecté à des points caractéristiques de la production de ladite couche. Selon ce procédé, on produit cette couche semiconductrice de chalcogénure, en appliquant d'abord successivement les deux couches précurseurs métalliques obtenues à partir des éléments A et B, puis un processus de chalcogénisation avec contrôle optique de processus simultané est ensuite effectué. Au cours de ce processus, les suites de couches A B sont irradiés avec la lumière provenant d'au moins une source lumineuse cohérente. La lumière dispersée de façon diffuse sur la surface est détectée et le signal de lumière diffusée mesuré en fonction du temps est évalué, de sorte que des modifications caractéristiques dans la couche produite pendant la chalcogénisation sont affectées à quatre points significatifs de la courbe du signal de lumière diffusée.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)