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1. (WO2002084727) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE D'OXYDE SUR UNE COUCHE DE CARBURE DE SILICIUM UTILISANT UN RECUIT DANS UN ENVIRONNEMENT HYDROGENE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/084727    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/011691
Date de publication : 24.10.2002 Date de dépôt international : 12.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.10.2002    
CIB :
H01L 21/04 (2006.01)
Déposants : CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703 (US)
Inventeurs : LIPKIN, Lori, A.; (US).
DAS, Mrinal, Kanti; (US)
Mandataire : MYERS BIGEL SIBLEY & SAJOVEC; Post Office Box 37428, Raleigh, NC 27627 (US)
Données relatives à la priorité :
09/834,283 12.04.2001 US
60/294,307 30.05.2001 US
10/045,542 26.10.2001 US
Titre (EN) METHOD OF FABRICATING AN OXIDE LAYER ON A SILICON CARBIDE LAYER UTILIZING AN ANNEAL IN A HYDROGEN ENVIRONMENT
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE D'OXYDE SUR UNE COUCHE DE CARBURE DE SILICIUM UTILISANT UN RECUIT DANS UN ENVIRONNEMENT HYDROGENE
Abrégé : front page image
(EN)Silicon carbide structures are fabricated by fabricating a nitrided oxide layer on a layer of silicon carbide and annealing the nitrided oxide layer in an environment containing hydrogen. Such a fabrication of the nitrided oxide layer may be provided by forming the oxide layer in at least one of nitric oxide and nitrous oxide and/or annealing an oxide layer in at least one of nitric oxide and nitrous oxide. Alternatively, the nitrided oxide layer may be provided by fabricating an oxide layer and fabricating a nitride layer on the oxide layer so as to provide the nitrided oxide layer on which the nitride layer is fabricated. Furthermore, annealing the oxide layer may be provided as a separate step and/or substantially concurrently with another step such as fabricating the nitride layer or performing a contact anneal. The hydrogen environment may be pure hydrogen, hydrogen combined with other gases and/or result from a hydrogen precursor. Anneal temperatures of 400 °C or greater are preferred.
(FR)L'invention concerne des structures de carbure de silicium formées par fabrication d'une couche d'oxyde nitruré sur une couche de carbure de silicium et par recuit de ladite couche d'oxyde nitruré dans un environnement contenant de l'hydrogène. La fabrication de la couche d'oxyde nitruré peut s'effectuer par formation d'une couche d'oxyde dans au moins un acide nitrique et un acide nitreux et/ou par recuit de cette couche d'oxyde dans au moins l'un des acides nitrique ou nitreux. Dans un autre mode de réalisation, la fabrication de la couche d'oxyde nitruré peut s'effectuer par formation d'une couche d'oxyde et par formation d'une couche de nitrure sur ladite couche d'oxyde de façon à obtenir la couche d'oxyde nitruré sur laquelle une couche de nitrure est fabriquée. En outre, le recuit de la couche d'oxyde peut s'effectuer dans une étape séparée et/ou sensiblement en même temps qu'une autre étape, telle que l'étape de fabrication de la couche de nitrure, ou par recuit de contact. L'environnement hydrogéné peut être de l'hydrogène pure, de l'hydrogène associée à d'autres gaz et/ou résultant d'un précurseur d'hydrogène. Les températures préférées de recuit sont égales à 400 °C ou plus.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)