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1. (WO2002083979) PROCEDE ET DISPOSITIF PERMETTANT LE DEPOT D'UNE COUCHE DE SILICIUM AU MOINS PARTIELLEMENT CRISTALLINE SUR UN SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/083979    N° de la demande internationale :    PCT/NL2002/000244
Date de publication : 24.10.2002 Date de dépôt international : 12.04.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.10.2002    
CIB :
C23C 16/24 (2006.01), C23C 16/513 (2006.01)
Déposants : TECHNISCHE UNIVERSITEIT EINDHOVEN [NL/NL]; P.O. Box 513, NL-5600 MB Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
HAMERS, Edward, Aloys, Gerard [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
SMETS, Arno, Hendrikus, Marie [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
VAN DE SANDEN, Mauritius, Cornelius, Maria [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
SCHRAM, Daniel, Cornelis [NL/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : HAMERS, Edward, Aloys, Gerard; (NL).
SMETS, Arno, Hendrikus, Marie; (NL).
VAN DE SANDEN, Mauritius, Cornelius, Maria; (NL).
SCHRAM, Daniel, Cornelis; (NL)
Mandataire : JILDERDA, Anne, Ayolt; P.O. Box 13363, NL-3507 LJ Utrecht (NL)
Données relatives à la priorité :
1017849 16.04.2001 NL
Titre (EN) PROCESS AND DEVICE FOR THE DEPOSITION OF AN AT LEAST PARTIALLY CRYSTALLINE SILICIUM LAYER ON A SUBSTRATE
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF PERMETTANT LE DEPOT D'UNE COUCHE DE SILICIUM AU MOINS PARTIELLEMENT CRISTALLINE SUR UN SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)In a process and device for depositing an at least partially crystalline silicon layer a plasma is generated and a substrate (24) is exposed under the influence of the plasma to a silicon-containing source fluid for deposition of silicon therefrom. A pressure drop is applied between a location (12) where the source fluid is supplied and the substrate (24). In addition to the source fluid an auxiliary fluid is also injected which is able to etch non-crystalline silicon atoms. The substrate (24) is exposed to both the source fluid and the auxiliary fluid.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un dispositif permettant le dépôt d'une couche de silicium au moins partiellement cristalline, un plasma étant produit et un substrat (24) étant exposé, sous l'influence du plasma, à un liquide source contenant du silicium afin de permettre le dépôt du silicium qu'il contient. Une diminution de pression est réalisée entre un emplacement (12) où arrive le liquide source, et le substrat (24). De plus du liquide source, un liquide auxiliaire est également injecté, celui-ci étant capable d'attaquer les atomes de silicium non cristallins. Le substrat (24) est exposé à la fois au liquide source et au liquide auxiliaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : néerlandais; flamand (NL)