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1. (WO2002079537) DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DE W AVEC NUCLEATION DE TUNGSTENE SANS FLUOR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/079537    N° de la demande internationale :    PCT/US2002/009311
Date de publication : 10.10.2002 Date de dépôt international : 25.03.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.10.2002    
CIB :
C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/16 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. BOX 450A, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventeurs : JIAN, Ping; (US).
GANGULI, Seshadri; (US).
LITTAU, Karl, A.; (US).
MARCADAL, Christophe; (US).
CHEN, Ling; (US)
Mandataire : SANI, Barmak, S.; Townsend and Townsend and Crew LLP, Two Embarcadero Center, 8th floor, San Francisco, CA 94111-3834 (US)
Données relatives à la priorité :
60/279,607 28.03.2001 US
10/104,842 22.03.2002 US
Titre (EN) W-CVD WITH FLUORINE-FREE TUNGSTEN NUCLEATION
(FR) DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DE W AVEC NUCLEATION DE TUNGSTENE SANS FLUOR
Abrégé : front page image
(EN)In accordance with the present invention, a method is provided for forming an improved tungsten layer. In one embodiment, a CVD method for depositing a tungsten layer on a substrate includes forming a bilayer of titanium-nitride/titanium (TiN/Ti) over the substrate, placing the substrate in a deposition zone of a substrate processing chamber, and introducing a fluorine-free tungsten-containing precursor and a carrier gas into the deposition zone for forming a tungsten nucleation layer over the TiN/Ti bilayer. The Ti layer is between the TiN layer and the substrate. After the tungsten nucleation formation, a process gas including a tungsten-containing source and a reduction agent are introduced into the deposition zone for forming the bulk tungsten layer. In one embodiment, the fluorine-free tungsten-containing precursor includes W(CO)6, and the carrier gas is Argon.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'une couche de tungstène améliorée. Dans un mode de réalisation, un procédé de dépôt chimique en phase vapeur pour le dépôt d'une couche de tungstène sur un substrat consiste à former une bicouche de titane-nitrure/titane (TiN/Ti) sur le substrat, à placer le substrat dans une zone de dépôt d'une chambre de traitement de substrats, et à introduire un précurseur contenant du tungstène sans fluor, et un gaz porteur dans la zone de dépôt, de manière qu'une couche de nucléation de tungstène soit formée sur la bicouche TiN/Ti. La couche de Ti se trouve entre la couche de TiN et le substrat. Après la formation de la couche de nucléation de tungstène, un gaz de traitement comprenant une source de tungstène et un agent de réduction sont introduits dans la zone de dépôt, de manière que la couche de tungstène globale soit formée. Dans un mode de réalisation, le précurseur contenant du tungstène sans fluor comprend W(CO)¿6?, et le gaz porteur est de l'argon.
États désignés : JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (DE, GB, NL).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)