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1. WO2002064866 - PROCEDE DE FABRICATION D"UN MONOCRISTAL DE SILICIUM

Numéro de publication WO/2002/064866
Date de publication 22.08.2002
N° de la demande internationale PCT/JP2002/001388
Date du dépôt international 18.02.2002
CIB
C30B 15/00 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
C30B 15/30 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
30Mécanismes pour faire tourner ou pour déplacer soit le bain fondu, soit le cristal
CPC
C30B 15/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
C30B 15/203
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
20Controlling or regulating
203the relationship of pull rate (v) to axial thermal gradient (G)
C30B 15/305
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
30Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
305Stirring of the melt
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
Déposants
  • SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • NEC CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • KANDA, Tadashi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • KURAGAKI, Shunji [JP]/[JP] (UsOnly)
  • WATANABE, Masahito [JP]/[JP] (UsOnly)
  • EGUCHI, Minoru [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • KANDA, Tadashi
  • KURAGAKI, Shunji
  • WATANABE, Masahito
  • EGUCHI, Minoru
Mandataires
  • MORI, Michio
Données relatives à la priorité
2001-3955616.02.2001JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR FABRICATING SILICON SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D"UN MONOCRISTAL DE SILICIUM
Abrégé
(EN) A silicon single crystal fabricating method in which a silicon single crystal is grown while adjusting the pulling rate in the single crystal growing process, under the condition that the external diameter of the latent region where an oxidation-induced stacking faults (OSF) caused in the crystal plane is within a range of 70 to 80 % of the crystal diameter, by the EMCZ method, i.e., a CZ method in which a magnetic field is applied to the silicon melt and an electric current having a component normal to the magnetic field is applied to the silicon melt. According to this silicon single crystal fabricating method, a silicon single crystal having excellent device characteristics such as the oxide film breakdown voltage characteristic can be fabricated without forming any COP of a size no less than 0.1µm and any dislocation cluster in the crystal plane. Moreover, the silicon single crystal can be fabricated with an excellent productivity under a growth condition over a wide allowable range of the pulling rate, so that it can be applied to semiconductor devices widely.
(FR) Procédé de fabrication d"un monocristal de silicium consistant à effectuer la croissance de ce monocristal de silicium, tout en réglant le niveau de tirage dans le processus de croissance du monocristal, à condition que le diamètre extérieur de la zone latente dans laquelle se trouvent des défauts d"empilement provoqués par l"oxydation (OSF) dans le plan du cristal, soit situé dans une plage de 70 à 80 % du diamètre du cristal, au moyen d"un procédé EMCZ, c"est-à-dire un procédé CZ consistant à appliquer un champ magnétique au silicium en fusion et à appliquer un courant électrique à ce silicium en fusion, dont une composante est perpendiculaire au champ magnétique. Ce procédé permet de fabriquer un monocristal de silicium possédant des caractéristiques excellentes, telles que la tension de rupture de la couche d"oxyde, sans créer de COP de dimension non inférieure à 0,1 µm, ni de grappe de dislocation dans le plan du cristal. On peut, de plus, fabriquer ce monocristal de silicium selon un rendement excellent dans des conditions de croissance pouvant être appliquées dans une plage de niveaux de tirage extrêmement tolérante, ce qui permet de mettre ce procédé en application pour une très grande variété de composants à semi-conducteur.
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