(EN) A silicon single crystal fabricating method in which a silicon single crystal is grown while adjusting the pulling rate in the single crystal growing process, under the condition that the external diameter of the latent region where an oxidation-induced stacking faults (OSF) caused in the crystal plane is within a range of 70 to 80 % of the crystal diameter, by the EMCZ method, i.e., a CZ method in which a magnetic field is applied to the silicon melt and an electric current having a component normal to the magnetic field is applied to the silicon melt. According to this silicon single crystal fabricating method, a silicon single crystal having excellent device characteristics such as the oxide film breakdown voltage characteristic can be fabricated without forming any COP of a size no less than 0.1µm and any dislocation cluster in the crystal plane. Moreover, the silicon single crystal can be fabricated with an excellent productivity under a growth condition over a wide allowable range of the pulling rate, so that it can be applied to semiconductor devices widely.
(FR) Procédé de fabrication d"un monocristal de silicium consistant à effectuer la croissance de ce monocristal de silicium, tout en réglant le niveau de tirage dans le processus de croissance du monocristal, à condition que le diamètre extérieur de la zone latente dans laquelle se trouvent des défauts d"empilement provoqués par l"oxydation (OSF) dans le plan du cristal, soit situé dans une plage de 70 à 80 % du diamètre du cristal, au moyen d"un procédé EMCZ, c"est-à-dire un procédé CZ consistant à appliquer un champ magnétique au silicium en fusion et à appliquer un courant électrique à ce silicium en fusion, dont une composante est perpendiculaire au champ magnétique. Ce procédé permet de fabriquer un monocristal de silicium possédant des caractéristiques excellentes, telles que la tension de rupture de la couche d"oxyde, sans créer de COP de dimension non inférieure à 0,1 µm, ni de grappe de dislocation dans le plan du cristal. On peut, de plus, fabriquer ce monocristal de silicium selon un rendement excellent dans des conditions de croissance pouvant être appliquées dans une plage de niveaux de tirage extrêmement tolérante, ce qui permet de mettre ce procédé en application pour une très grande variété de composants à semi-conducteur.
