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1. WO2002063072 - PROCEDE ET APPAREIL DESTINE A MAITRISER L'UNIFORMITE D'EPAISSEUR DE COUCHE ELECTRODEPOSEE

Numéro de publication WO/2002/063072
Date de publication 15.08.2002
N° de la demande internationale PCT/US2001/047445
Date du dépôt international 11.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 16.07.2002
CIB
C25D 7/12 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
DPROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
7Dépôt électrochimique caractérisé par l'objet à revêtir
12Semi-conducteurs
H01L 21/288 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
288à partir d'un liquide, p.ex. dépôt électrolytique
H01L 21/768 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
CPC
C25D 17/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
17Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
C25D 17/001
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
17Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
001Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
C25D 7/123
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
7Electroplating characterised by the article coated
12Semiconductors
123Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
C25F 7/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
FPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
7Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic removal of material from objects
H01L 21/2885
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
288from a liquid, e.g. electrolytic deposition
2885using an external electrical current, i.e. electro-deposition
H01L 21/76877
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
76877Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
Déposants
  • NU TOOL INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • BASOL, Bulent, M.
  • LINDQUIST, Paul
Mandataires
  • DIEFENDORF, Richard
Données relatives à la priorité
09/855,05915.05.2001US
60/256,92421.12.2000US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING THICKNESS UNIFORMITY OF ELECTROPLATED LAYER
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DESTINE A MAITRISER L'UNIFORMITE D'EPAISSEUR DE COUCHE ELECTRODEPOSEE
Abrégé
(EN) An apparatus (100) which can control thickness uniformity during deposition of conductive material from an electrolyte onto a surface of a semiconductor substrate (108) is provided. The apparatus has an anode (112) which can be contacted by the electrolyte during deposition of the conductive material, a cathode assembly (102) including a carrier (106) adapted to carry the substrate for movement during deposition, and a conductive element (115) permitting electrolyte flow therethrough. A mask (114) lies over the conductive element and has openings (117) permitting electrolyte flow (123). The openings define active regions of the conductive element by which a rate of conductive material deposition onto the surface can be varied. A power source can provide a potential between the anode and the cathode assembly so as to produce the deposition. A deposition process is also disclosed, and uniform electroetching of conductive material on the semiconductor substrate surface can additionally be performed.
(FR) L'invention concerne un appareil (100) permettant de maîtriser l'uniformité d'épaisseur lors du dépôt d'un matériau conducteur, à partir d'un électrolyte, sur une surface d'un substrat semi-conducteur (108). L'appareil comprend une anode (112) qui peut être mise en contact avec l'électrolyte lors du dépôt de matériau conducteur, un assemblage de cathode (102), comportant un support (106) conçu pour porter le substrat et lui conférer un mouvement durant le dépôt, et un élément conducteur (115) permettant un écoulement de l'électrolyte à travers. Un masque (114) recouvre l'élément conducteur et comporte des orifices (117) permettant à l'électrolyte (123) de s'écouler. Ces orifices définissent des régions actives de l'élément conducteur, au moyen desquelles on peut faire varier la vitesse de dépôt de matériau conducteur. Une alimentation électrique permet d'établir un potentiel entre l'anode et l'assemblage de cathode de façon à produire le dépôt. L'invention concerne aussi un procédé de déposition. Il est ensuite possible de réaliser un attaque électrochimique uniforme du matériau conducteur sur la surface du substrat semi-conducteur.
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