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1. WO2002061854 - PROCEDE DE STRUCTURATION D'UNE COUCHE D'OXYDE APPLIQUEE SUR UN MATERIAU SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2002/061854
Date de publication 08.08.2002
N° de la demande internationale PCT/EP2002/001096
Date du dépôt international 01.02.2002
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 14.08.2002
CIB
H01L 21/311 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105Post-traitement
311Gravure des couches isolantes
CPC
H01L 21/31111
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
311Etching the insulating layers ; by chemical or physical means
31105Etching inorganic layers
31111by chemical means
H01L 31/068
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
068the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
H01L 31/1804
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
1804comprising only elements of Group IV of the Periodic System
Y02B 10/10
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
10Integration of renewable energy sources in buildings
10Photovoltaic [PV]
Y02E 10/547
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
547Monocrystalline silicon PV cells
Y02P 70/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
70Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Déposants
  • SHELL SOLAR GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • MÜNZER, Adolf [DE]/[DE] (UsOnly)
  • SCHLOSSER, Reinhold [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • MÜNZER, Adolf
  • SCHLOSSER, Reinhold
Mandataires
  • ZEESTRATEN, A., W., J.
Données relatives à la priorité
101 04 726.602.02.2001DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG EINER AUF EINEM TRÄGERMATERIAL AUFGEBRACHTEN OXIDSCHICHT
(EN) METHOD FOR STRUCTURING AN OXIDE LAYER APPLIED TO A SUBSTRATE MATERIAL
(FR) PROCEDE DE STRUCTURATION D'UNE COUCHE D'OXYDE APPLIQUEE SUR UN MATERIAU SUBSTRAT
Abrégé
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Strukturierung einer auf einem Trägermaterial aufgebrachten Oxidschicht. Um eine derartige Oxidschicht auf kostengünstige Weise zu strukturieren, wird nach dem Siebdruckverfahren eine Siebdruckpaste, die eine oxidätzende Komponente enthält, durch eine Druckschablone auf die Oxidschicht gedruckt und die aufgedruckte Siebdruckpaste nach einer vorgegebenen Einwirkungszeit wieder entfernt.
(EN)
The invention relates to a method for structuring an oxide layer applied to a substrate material. The aim of the invention is to provide an inexpensive method for structuring such an oxide layer. To this end, a squeegee paste that contains an oxide-etching component is printed on the oxide layer through a pattern stencil after silk screen printing and the printed squeegee paste is removed after a predetermined dwelling time.
(FR)
L'invention concerne un procédé de structuration d'une couche d'oxyde appliquée sur un matériau servant de substrat. En vue de structurer de façon économique une telle couche d'oxyde, le procédé selon l'invention est caractérisé en ce qu'une pâte essorée contenant un composant décapant-oxyde est imprimée au pochoir sur la couche d'oxyde après sérigraphie, et en ce que la pâte essorée compressée est de nouveau éliminée après un temps d'action prédéterminé.
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