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1. (WO2002050613) PROCEDE DE POLYMERISATION D'UN MATERIAU PHOTOSENSIBLE A L'AIDE D'ENERGIE D'ONDE EVANESCENTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/050613 N° de la demande internationale : PCT/US2001/049105
Date de publication : 27.06.2002 Date de dépôt international : 18.12.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 15.07.2002
CIB :
G02B 27/56 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : THE UNIVERSITY OF VERMONT AND STATE AGRICULTURAL COLLEGE[US/US]; 85 South Prospect Street Burlington, VT 05405-0160, US
Inventeurs : ESSER, Brian; US
HUSTON, Dryver, R.; US
PELCZARSKI, Noel, V.; US
SAUTER, Wolfgang; US
Mandataire : MEIER, Lawrence, H.; Downs Rachlin Martin PLLC 199 Main Street P.O. Box 190 Burlington, VT 05402-0190, US
Données relatives à la priorité :
60/256,29518.12.2000US
Titre (EN) METHOD OF CURING A PHOTOSENSITIVE MATERIAL USING EVANESCENT WAVE ENERGY
(FR) PROCEDE DE POLYMERISATION D'UN MATERIAU PHOTOSENSIBLE A L'AIDE D'ENERGIE D'ONDE EVANESCENTE
Abrégé : front page image
(EN) A method of curing a photosensitive material (10) having a critical electrical field amplitude (Ic) at which photoinitiation occurs. The method includes contacting the photosensitive material, e.g., a photoinitiator/monomer resin system, with a substrate (18) having surface (22), such as an optical element, so as to form an interface (20) between the photosensitive material and the substrate surface. A light beam (12) from source (14) is directed into the substrate, such that the light beam is totally internally reflected from the interface within the substrate, so that an evanescent wave is created in the photosensitive material with amplitude (I). In order for curing to occur in photoinitiation region (16) to depth (I), the electric field amplitude (Io) of the evanescent wave at the interface must be least equal to the critical electric field amplitude of the photosensitive material.
(FR) L'invention concerne un procédé de polymérisation d'un matériau photosensible (10) possédant une amplitude de champ électrique critique à laquelle a lieu le photoamorçage. Ce procédé consiste à mettre en contact un matériau photosensible, par ex. un système de résine de photoamorçage/monomère, avec un substrat (18), tel qu'un élément optique, de manière à former une interface (20) entre le matériau photosensible et le substrat. Un faisceau lumineux (12) est dirigé sur le substrat de manière que ce faisceau lumineux soit totalement intérieurement réfléchi à partir de l'interface dans le substrat, de manière qu'une onde évanescente soit créée dans le matériau photosensible. Afin que la polymérisation ait lieu, l'amplitude de champ électrique de l'onde évanescente au niveau de l'interface doit être au moins égale à l'amplitude de champ électrique critique du matériau photosensible.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)