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1. (WO2002047137) PROCEDE DE FORMATION DE COUCHE MINCE A SEMI-CONDUCTEUR, PROCEDES DE PRODUCTION POUR DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ELECTROOPTIQUE, DISPOSITIFS UTILISES DANS CES PROCEDES, DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ELECTROOPTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/047137    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/010733
Date de publication : 13.06.2002 Date de dépôt international : 07.12.2001
CIB :
C23C 16/24 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01), C30B 13/24 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (Tous Sauf US).
YAMANAKA, Hideo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMANAKA, Hideo; (JP)
Mandataire : NAKAMURA, Tomoyuki; c/o Miyoshi International Patent Office 9th Floor, Toranomon Daiichi Building 2-3, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-373826 08.12.2000 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR THIN FILM FORMING METHOD, PRODUCTION METHODS FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTROOPTICAL DEVICE, DEVICES USED FOR THESE METHODS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTROOPTICAL DEVICE
(FR) PROCEDE DE FORMATION DE COUCHE MINCE A SEMI-CONDUCTEUR, PROCEDES DE PRODUCTION POUR DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ELECTROOPTIQUE, DISPOSITIFS UTILISES DANS CES PROCEDES, DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ELECTROOPTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a large-area, high-crystallinity, high quality, polycrystalline or single-crystal semiconductor thin film such as polycrystalline silicon, and a device for implementing this method. A method of forming a polycrystalline (or single-crystal) semiconductor thin film, or a method of fabricating a semiconductor device wherein, when forming on a substrate (1) a high-crystallinity, large-grain-size polycrystalline (or single-crystal) semiconductor thin film (7) such as a polycrystalline silicon film, or when fabricating a semiconductor device having a polycrystalline (or single-crystal) semiconductor thin film (7) on a substrate (1), after a low crystalline semiconductor thin film (7A) is formed on the substrate (1), a flash lamp anneal is applied to the thin film (7A), and the crystallization of the thin film (7A) is promoted by fusing, or semi-fusing, or heating and cooling in a non-fused condition to obtain the polycrystalline (or single-crystal) semiconductor thin film; and devices for implementing these methods.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'une couche mince à semi-conducteur de grande surface, à cristallinité élevée, de haute qualité, polycristallin ou monocristallin telle qu'un silicium polycristallin, et un dispositif de mise en application de ce procédé. L'invention concerne également un procédé de formation d'une couche mince de semi-conducteur polycristallin (ou monocristallin), ou un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur dans lequel, lors de la formation sur un substrat (1) d'une couche mince (7) de semi-conducteur à haute cristallinité, polycristallin (ou monocristallin) à gros grains telle qu'une couche mince de silicium polycristallin, ou lors de la fabrication d'un dispositif à semi-conducteur ayant une couche mince (7) de semi-conducteur polycristallin (ou monocristallin) sur un substrat (1), après formation sur le substrat (1) d'une couche mince (7A) de semi-conducteur faiblement cristallin, un recuit à lampe flash est appliqué à la couche mince (7A), et la cristallisation de la couche mince (7A) est favorisée par fusion, ou semi-fusion, ou chauffage et refroidissement à l'état non fusionné afin d'obtenir la couche mince de semi-conducteur polycristallin (ou monocristallin); ainsi que des dispositifs de mise en application de ces procédés.
États désignés : KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)