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1. (WO2002044781) PROCEDE DE FABRICATION D'UN COMMUTATEUR OPTIQUE, COMMUTATEUR OPTIQUE OBTENU PAR LEDIT PROCEDE, ET MATRICE DE TELS COMMUTATEURS.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/044781 N° de la demande internationale : PCT/FR2001/003781
Date de publication : 06.06.2002 Date de dépôt international : 29.11.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 31.05.2002
CIB :
G02B 6/35 (2006.01)
Déposants : HELIN, Philippe[FR/FR]; FR (UsOnly)
BOUROUINA, Tarik[FR/JP]; JP (UsOnly)
REYNE, Gilbert[FR/JP]; JP (UsOnly)
HOULET, Lionel[FR/JP]; JP (UsOnly)
FUJITA, Hiroyuki[JP/JP]; JP (UsOnly)
MEMSCAP[FR/FR]; Allée des Dauphins ZAC du Pont Rivet F-38330 SAINT ISMIER, FR (AllExceptUS)
Inventeurs : HELIN, Philippe; FR
BOUROUINA, Tarik; JP
REYNE, Gilbert; JP
HOULET, Lionel; JP
FUJITA, Hiroyuki; JP
Mandataire : VUILLERMOZ, Bruno ; Cabinet LAURENT & CHARRAS 20 Rue Louis Chirpaz BP 32 F-69131 ECULLY, FR
Données relatives à la priorité :
00.1562501.12.2000FR
Titre (EN) METHOD FOR MAKING AN OPTICAL SWITCH, OPTICAL SWITCH OBTAINED BY SAID METHOD AND MATRIX OF SUCH OPTICAL SWITCHES
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN COMMUTATEUR OPTIQUE, COMMUTATEUR OPTIQUE OBTENU PAR LEDIT PROCEDE, ET MATRICE DE TELS COMMUTATEURS.
Abrégé : front page image
(EN) The invention concerns a method for making an optical switch (1) comprising: an alignment structure (2) comprising several grooves (3, 4) produced on the surface (10) of a silicon-on-insulator substrate (9), each groove (3, 4) being designed to receive an optical fibre adapted to emit a light beam; a reflecting structure (6) adapted to move between two positions, namely: a reflecting position, wherein the reflecting structure (6) is designed to redirect the optical beam derived from a first optical fibre (45) towards a second optical fibre (46); a transmitting position, wherein the reflecting structure (6) is designed to enable the beam (45) of the first optical fibre (45) to continue its propagation in its initial direction. The invention is characterised in that it comprises two successive etching steps, namely: a step which consists in dry anisotropic etching of the substrate to define the general shape (17) of the reflecting structure (6); a subsequent wet etching step which enables both to define the final shape of the reflecting structure (6) and to define an alignment structure (2); an etching step carried out on the surface of the substrate opposite the reflecting structure, enabling to define the shape of deformable zones connecting the reflecting structure to the rest of the substrate; a final step which consists in eliminating the silicon dioxide layer enabling to release the reflecting structure.
(FR) Procédé de fabrication d'un commutateur optique (1) comportant:• une structure d'alignement (2) comprenant plusieurs rainures (3, 4) réalisées sur la face (10) d'un substrat de silicium sur isolant (9), chaque rainure (3, 4) étant destinée à recevoir une fibre optique apte à émettre un faisceau lumineux; -une structure réfléchissante (6) apte à se déplacer entre deux positions, à savoir -une position de réflexion, dans laquelle la structure réfléchissante (6) est disposée pour rediriger le faisceau optique issu d'une première fibre optique (45) vers une seconde fibre (46) optique; -une position de transmission, dans laquelle la structure réfléchissante (6) est disposée pour permettre au faisceau (45) de la première fibre optique (46) de continuer à se propager dans sa direction initiale; caractérisé en ce qu'il comporte deux étapes successives de gravure, à savoir: - une étape de gravure anisotrope sèche du substrat, permettant de définir la forme générale (17) de la structure réfléchissante(6) ; - une étape subséquente de gravure humide qui permet à la fois de définir la forme finale de la structure réfléchissante (6), et de définir la structure d'alignement (2). - une étape de gravure réalisée sur la face du substrat opposée à la structure réfléchissante, permettant de définir la forme des zones déformables reliant la structure réfléchissante au reste du substrat; une dernière étape d'élimination de la couche de dioxyde de silicium, permettant de libérer la structure réfléchissante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)