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1. (WO2002025746) ELEMENT EMETTEUR DE LUMIERE A SEMICONDUCTEUR DE NITRURE ET DISPOSITIF OPTIQUE CONTENANT CET ELEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/025746    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/008083
Date de publication : 28.03.2002 Date de dépôt international : 17.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.04.2002    
CIB :
H01L 33/06 (2010.01), H01S 5/343 (2006.01), H01L 33/02 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01S 5/20 (2006.01), H01S 5/30 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku Osaka-shi, Osaka 545-8522 (JP) (Tous Sauf US).
TSUDA, Yuhzoh [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ITO, Shigetoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ARAKI, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TSUDA, Yuhzoh; (JP).
ITO, Shigetoshi; (JP).
ARAKI, Masahiro; (JP)
Mandataire : FUKAMI, Hisao; Mitsui Sumitomo Bank Minamimorimachi Bldg. 1-29, Minamimorimachi 2-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 530-0054 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-287291 21.09.2000 JP
2000-351003 17.11.2000 JP
Titre (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND OPTICAL DEVICE CONTAINING IT
(FR) ELEMENT EMETTEUR DE LUMIERE A SEMICONDUCTEUR DE NITRURE ET DISPOSITIF OPTIQUE CONTENANT CET ELEMENT
Abrégé : front page image
(EN)According to one embodiment, a nitride semiconductor light emitting element includes a light emitting layer (106) having a quantum well structure in which quantum well layers and barrier layers are laminated alternately, characterized in that the well layer consists of a nitride semiconductor containing In, and the barrier layer consists of a nitride semiconductor layer containing As, P or Sb. According to another embodiment, a nitride semiconductor light emitting element includes a light emitting layer having a quantum well structure in which quantum well layers and barrier layers are laminated alternately, characterized in that the well layer consists of GaN¿1-x-y-z?As¿x?P¿y?Sb¿z? (0 < x + y +z $m(F)0.3), and the barrier layer consists of a nitride semiconductor containing In.
(FR)Dans un mode de réalisation de l'invention, un élément émetteur de lumière à semiconducteur de nitrure comprend une couche émettrice de lumière (106) qui possède une structure à puits quantique dans laquelle des couches à puits quantique et des couches de séparation sont stratifiées alternativement. Dans cette invention la couche à puits est constituée d'un semiconducteur de nitrure contenant de l'indium, (In), et la couche de séparation est constituée d'une couche semiconductrice de nitrure contenant de l'arsenic (As), du phosphore (P) ou de l'antimoine (Sb). Dans un autre mode de réalisation de l'invention, un élément émetteur de lumière à semiconducteur de nitrure comprend une couche émettrice de lumière possédant une structure à puits quantique dans laquelle des couches à puits quantique et des couches de séparation sont stratifiées alternativement. Dans ce mode de réalisation de l'invention, la couche à puits est constituée de CaN¿1-x-y-z?As¿x?P¿y?Sb¿z? (0 < x+ y + z $m(F) 0,3), et la couche de séparation est constituée d'un semiconducteur de nitrure contenant de l'indium (In).
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)